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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种含粒子数反转结构的激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310663165.6，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种含粒子数反转结构的激光器是由阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;陈婉君设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含粒子数反转结构的激光器在说明书摘要公布了：本发明公开一种含粒子数反转结构的激光器，从下往上包括：衬底、下限制层、第一下波导层，第二下波导层，有源层、上波导层和上限制层；所述第一下波导层和所述第二下波导层形成下波导层；所述上限制层、所述上波导层、所述有源层、所述第一下波导层、所述第二下波导层形成粒子数反转结构，在所述粒子数反转结构中，由上波导层陡峭的Mg掺杂浓度界面、有源层陡峭的Si掺杂浓度界面、下波导层陡峭的Si掺杂浓度界面、上波导层陡峭的Al含量界面和下波导层陡峭的Al含量界面共同作用，使有源层的电子数远远大于空穴数形成粒子数反转，随着激励源持续输入，穴辐射复合大于损耗，加快激光器产生受激发射，降低激光器的阈值，提升激光功率和效率。

本发明授权一种含粒子数反转结构的激光器在权利要求书中公布了：1.一种含粒子数反转结构的激光器，其特征在于，从下往上包括：衬底、下限制层、第一下波导层、第二下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述第一下波导层和所述第二下波导层形成下波导层； 所述上限制层、所述上波导层、所述有源层、所述第一下波导层、所述第二下波导层形成粒子数反转结构，在所述粒子数反转结构中，设计各项生长参数值，使所述上波导层的Mg掺杂浓度界面的下降角度大于或等于预设阈值、所述有源层Si掺杂浓度界面的下降角度大于或等于预设阈值、所述下波导层Si掺杂浓度界面的下降角度大于或等于预设阈值、所述上波导层Al含量界面的下降角度大于或等于预设阈值和所述下波导层Al含量界面的下降角度大于或等于预设阈值； 在所述粒子数反转结构中，所述上限制层往所述上波导层方向的Mg掺杂浓度呈线性下降趋势，Mg掺杂浓度界面的下降角度为α，α≥70°；所述有源层的Si掺杂浓度界面呈现向上尖峰状，所述有源层往所述上波导层方向的Si掺杂浓度下降趋势，Si掺杂浓度界面的下降角度为β，β≥70°；所述有源层往第二下波导层方向的Si掺杂浓度呈下降趋势，Si掺杂浓度界面的下降角度为γ，γ≥70°；所述下波导层的Si掺杂浓度界面呈向下尖峰状，在所述第二下波导层往所述第一下波导层方向上，Si掺杂浓度呈下降趋势，Si掺杂浓度界面的下降角度为δ，δ≥70°；所述第一下波导层往所述第二下波导层方向的Si掺杂浓度呈下降趋势，Si掺杂浓度界面的下降角度为φ，φ≥70°；所述上限制层往所述上波导层方向的Al含量下降趋势，Al含量界面的下降角度为ψ，ψ≥70°；所述下限制层往所述第一下波导层方向的Al含量呈下降趋势，Al含量界面的下降角度为θ，θ≥70°。

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