安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有导电相变层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116646818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310276394.2，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种设有导电相变层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;胡志勇;张江勇;刘紫涵;蔡鑫;陈三喜;蒙磊;季徐芳设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有导电相变层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有导电相变层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与下限制层之间和上波导层与电子阻挡层之间设有导电相变层，导电相变层具有可逆调控相变场，调控外延生长过程中高低温变化时的相变，使相变速率从分钟量级提升到皮秒量线，降低电阻率和载流子势垒，降低单横模激射电流和阈值电压；同时，导电相变层还具有可逆调控应变场，改善热应力分布不均匀，抑制有源层的In组分涨落和偏析，提升有源层界面质量，提升热稳定性和抑制光学灾变损伤，增强激光元件的限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
本发明授权一种设有导电相变层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有导电相变层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：下波导层102与下限制层101之间和有源层103与下波导层102之间设有导电相变层107。
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