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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H-SiC MOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310845985.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H-SiC MOS器件是由张有润;陈劭桦;孙永明;陈航;罗茂久;张波设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H-SiC MOS器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H‑SiCMOS器件。本发明采用沟槽MOS结构，通过与栅极沟槽垂直的多级沟槽将屏蔽区与源极相连接，使得屏蔽区电位可调，以提高屏蔽层对栅氧化层电场的屏蔽作用，避免器件开关性能的退化，屏蔽区间可形成JFET区，提高器件的短路能力。同时器件采用了分裂沟槽栅的结构，在栅极沟槽底部集成肖特基二极管实现反向续流功能，进一步提高器件的开关性能。并设置JFET调制区，降低肖特基接触区对器件导通电阻的影响，同时降低了沟道穿通的风险。本发明提出的屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H‑SiCMOS器件在拥有更好的开关特性及反向恢复性能的同时，确保器件拥有低的导通损耗并提高了器件可靠性。

本发明授权一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H-SiC MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽区电位可调的分裂沟槽栅4H-SiCMOS器件，包括漏极1、N+衬底2、N-外延层3、屏蔽区4、JFET调制区5、肖特基接触区6、P型基区7、N+接触区8、P+接触区9、栅介质层10、栅极11和源极12；所述漏极1位于N+衬底2的下表面，N-外延层3位于N+衬底2的上表面；所述栅介质层10和栅极11构成沟槽栅；其特征在于，所述JFET调制区5和P型基区7位于沟槽栅两侧的N-外延层3中，并且JFET调制区5和P型基区7之间被N-外延层3隔离，所述JFET调制区5侧面的上部与栅介质层10侧面的下部接触；所述肖特基接触区6位于栅介质层10的底部，JFET调制区5侧面的下部与肖特基接触区6的侧面接触，并且JFET调制区5下表面结深大于肖特基接触区6下表面结深；所述N+接触区8和P+接触区9并列位于P型基区7的上表面，并且N+接触区8位于靠近沟槽栅的一侧；所述P+接触区9沿器件纵向方向贯穿器件，与P+接触区9不同的是N+接触区8、P型基区7和JFET调制区5沿器件纵向方向延伸至器件的中部，并且N+接触区8在器件纵向方向与器件边缘之间的区域由栅介质层10填充；P型基区7在器件纵向方向与器件边缘之间的区域，与N+接触区8对应宽度的区域仍然由栅介质层10填充，剩下的区域为N-外延层3；JFET调制区5在器件纵向方向与器件边缘之间的区域同样填充有栅介质层10，填充部分的高度与JFET调制区5侧面与栅介质层10侧面接触的部分相同，并且该填充部分的宽度小于N+接触区8的宽度；所述屏蔽区4位于肖特基接触区6的底部，且沿器件横向方向并不完全覆盖肖特基接触区6的底部，在器件横向方向上，屏蔽区4底部的一侧部分延伸入JFET调制区5中，在器件纵向方向上，屏蔽区4贯穿器件，且屏蔽区4在JFET调制区5、P型基区7沿器件纵向方向与器件边缘之间的N-外延层3中，沿栅介质层10侧面延伸至与P+接触区9的底部接触，屏蔽区4沿栅介质层10延伸的部分与JFET调制区5和P型基区7接触；所述源极12位于器件表面，分别与N+接触区8和P+接触区9连接；所述肖特基接触区6还沿器件垂直方向贯穿栅介质层10从而与源极12连接，肖特基接触区6贯穿栅介质层10的部分在器件横向方向上宽度与栅极11的宽度相同，并且在器件横向方向上位于两侧的P+接触区9之间的栅介质层10的中部，而在器件纵向方向上贯穿部分的中线与栅极11的中线重合；器件横向方向为源极指向漏极的方向，器件垂直方向为器件自底向上的方向，器件纵向方向是和器件横向方向、器件垂直方向均垂直的方向。

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