安徽格恩半导体有限公司阚宏柱获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116780342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310662761.2，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种半导体激光器是由阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;蔡鑫;张江勇;胡志勇设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器，包括：从下往上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层；有源层包括阱层和垒层；阱层的晶格常数大于等于垒层的晶格常数；阱层的热膨胀系数小于等于垒层的热膨胀系数；阱层的弹性系数小于等于垒层的弹性系数。本发明通过设计阱层的晶格常数大于等于垒层的晶格常数，阱层的热膨胀系数小于等于垒层的热膨胀系数，阱层的弹性系数小于等于垒层的弹性系数，能够有效调控半导体激光器有源层的耗尽区的载流子俘获效应、深能级缺陷和绝缘界面，能够抑制激光器原理平衡态相变的对称性破缺，从而能够有效解决激光器在阈值处出现突变现象，消除电导上跳、电容下深和结电压上跳等问题。
本发明授权一种半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 从下往上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层； 所述有源层包括阱层和垒层； 所述有源层的晶格常数、热膨胀系数和弹性系数均呈U型分布； 所述有源层的InC元素比例呈倒U型分布； 所述阱层的晶格常数大于等于所述垒层的晶格常数； 所述阱层的热膨胀系数小于等于所述垒层的热膨胀系数； 所述阱层的弹性系数小于等于垒层的弹性系数。
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