绍兴中芯集成电路制造股份有限公司王新龙获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种晶圆键合方法及晶圆键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116812861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310890090.5，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权一种晶圆键合方法及晶圆键合结构是由王新龙设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆键合方法及晶圆键合结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆键合方法及晶圆键合结构。键合方法包括：提供第一晶圆，在第一晶圆的键合面形成第一键合环层；提供第二晶圆，在第二晶圆的键合面形成第二键合环层，该第二键合环层与第一键合环层相对应；在第二晶圆的第二键合环层内形成第一凹腔；形成贯穿至少一个晶圆的气路通道，该气路通道位于晶圆的非功能器件区；键合并形成键合环。键合结构包括第一晶圆、第二晶圆、第一凹腔、气路通道和键合环。本发明与传统器件相比，通过在晶圆上形成气路通道，使得在抽真空和回填气体时，气体交换更加充分，真空度更接近真值且均匀性更好，回填气体更纯，封装气压能做到更低，提高了器件的性能。
本发明授权一种晶圆键合方法及晶圆键合结构在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一晶圆，在所述第一晶圆的键合面形成第一键合环层和第一密封环层； 提供第二晶圆，在所述第二晶圆的键合面形成第二键合环层和第二密封环层，所述第二键合环层与所述第一键合环层相对应，所述第二密封环层与所述第一密封环层相对应； 在所述第二晶圆的所述第二键合环层内形成第一凹腔，在所述第二密封环层内形成第二凹腔，其中，所述第一凹腔和所述第二凹腔同步形成； 形成贯穿所述第二晶圆的气路通道，所述气路通道位于所述晶圆的非功能器件区，其中，所述气路通道包括相连通的所述第二凹腔和通气孔； 将所述第一晶圆的所述第一键合环层和所述第二晶圆的所述第二键合环层进行键合并形成键合环，其中，所述第一密封环层和所述第二密封环层在键合时形成密封环，所述密封环位于所述键合环外围且环绕所述气路通道。
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