电子科技大学蒋洪川获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116855898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310810251.5，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法是由蒋洪川;裴伟钦;赵晓辉;邓新武;张羽;孙宁恺设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种CSiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法。是利用Zr元素在高温环境下的扩散作用，使ZrC薄膜中Zr元素向CSiC复合材料基底方向扩散，形成从上至下Zr含量逐渐减少、C含量逐渐增加的ZrxC1‑x不定形陶瓷相，以此作为渐变陶瓷层，实现由CSiC复合材料的低热膨胀系数到ZrC的高热膨胀系数的过渡。利用ZrSi2在1400℃以上高温下氧化，产生具有SiO2‑ZrSiO4玻璃相陶瓷的自修复效应，修复ZrSi2薄膜在高温氧化过程中产生的空洞以及微裂纹，实现传感器抗热震、抗热蚀性能的提升，提高绝缘层的抗热震性能和传感器的高温稳定性。
本发明授权一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CSiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层，其特征在于：包括依次设置于在CSiC复合材料基底上的渐变陶瓷层、ZrSi2牺牲层，所述渐变陶瓷层为ZrC薄膜通过高温退火工艺形成的渐变陶瓷层，所述ZrSi2牺牲层上表面设有通过退火工艺形成的自修复层；其中，对ZrC薄膜退火采用的温度为1400~2000℃，对ZrSi2牺牲层退火采用温度为1400~1800℃。
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