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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116864520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310868179.1，技术领域涉及：H10D62/824；该发明授权一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法是由任开琳;史洋;邹夏植;张建华;殷录桥设计研发完成，并于2023-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域；在AlGaN势垒层和GaN沟道层的交界面处通过压电极化和自发极化效应在靠近GaN沟道层一侧产生二维电子气层；从绝缘层的顶面的中部，向下刻蚀至GaN沟道层的底面，形成用于沉积生长P型半导体层的凹槽；从发射区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部和集电区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部，向下刻蚀至发射区AlGaN势垒层的顶面，形成用于沉积生长发射极和集电极的两凹槽；在P型半导体层的顶面沉积生长基极；本发明可大大提高电子在发射区和集电区的迁移率，提升器件的大电流输出能力、功率密度和高频应用能力。

本发明授权一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基双极结型晶体管，其特征在于，所述氮化镓基双极结型晶体管包括：发射极、基极、集电极、二维电子气层、P型半导体层、衬底以及在所述衬底上由底至顶依次生长的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和绝缘层； 在所述AlGaN势垒层和所述GaN沟道层的交界面处通过压电极化和自发极化效应在靠近所述GaN沟道层一侧产生所述二维电子气层；利用AlGaNGaN极化效应产生的二维电子气进行集电区和发射区的电子输运； 从所述绝缘层的顶面的中部，向下刻蚀至所述GaN沟道层的底面，形成第一部分凹槽；所述第一部分凹槽用于沉积生长所述P型半导体层；所述第一部分凹槽将所述GaN沟道层分为发射区GaN沟道层和集电区GaN沟道层；所述第一部分凹槽将所述二维电子气层分为发射区二维电子气层和集电区二维电子气层；所述第一部分凹槽将所述AlGaN势垒层分为发射区AlGaN势垒层和集电区AlGaN势垒层；所述第一部分凹槽将所述绝缘层分为发射区绝缘层和集电区绝缘层； 从所述发射区绝缘层的顶面远离所述P型半导体层的端部，向下刻蚀至所述发射区AlGaN势垒层的顶面，形成第二部分凹槽；所述第二部分凹槽用于沉积生长所述发射极； 从所述集电区绝缘层的顶面远离所述P型半导体层的端部，向下刻蚀至所述集电区AlGaN势垒层的顶面，形成第三部分凹槽；所述第三部分凹槽用于沉积生长所述集电极； 在所述P型半导体层的顶面沉积生长所述基极； 在所述基极和所述集电极施加电压，电子从所述发射极经所述发射区AlGaN势垒层、所述发射区二维电子气层、所述P型半导体层、所述集电区二维电子气层、所述集电区AlGaN势垒层流动到所述集电极；所述p型半导体层为p型GaN层、p型InGaN层、p型AlGaN层或NiO层；利用AlGaNGaN异质结形成的高迁移率的二维电子气来形成沟道，将发射极和集电极的电流限制在二维电子气内，代替原本的双极结型晶体管中的发射区和集电区进行电流传输。

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