买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉清华大学申请的专利二维纳米片膜材料及其制备方法与渗透能发电膜材料及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116943435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310945401.3，技术领域涉及：B01D61/44；该发明授权二维纳米片膜材料及其制备方法与渗透能发电膜材料及其应用是由李津津;丁政茂;王凯强;张涵莅设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本二维纳米片膜材料及其制备方法与渗透能发电膜材料及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二维纳米片膜材料及其制备方法与渗透能发电膜材料及其应用。该制备方法包括：将二维纳米片通过抽滤制成中间膜材料，对中间膜材料进行等离子体处理，得到二维纳米片膜材料；其中，等离子体处理采用的电离气体包括空气、氧气和四氟化碳中的至少一种；在等离子体处理中，电离气体流量为0.5‑30slm，电离功率为10‑500W。本发明还提供了上述制备方法得到的二维纳米片膜材料，包括二维纳米片膜材料或者由该二维纳米片膜材料制成的渗透能发电膜材料，以及该渗透能发电膜材料的应用。上述制备方法工艺简单、安全可靠、可操作性强，制得的二维膜材料的输出功率高，工业化应用前景广阔。

本发明授权二维纳米片膜材料及其制备方法与渗透能发电膜材料及其应用在权利要求书中公布了：1.一种二维纳米片膜材料的制备方法，该制备方法包括： 将二维纳米片通过抽滤制成中间膜材料，对所述中间膜材料进行等离子体处理，得到所述二维纳米片膜材料； 其中，所述等离子体处理采用的电离气体包括空气、氧气和四氟化碳中的一种或两种以上的组合；所述等离子体处理采用的电离气体流量为0.5slm-30slm； 所述等离子体处理采用的电离功率为10W-500W； 所述二维纳米片包括MXenes、金属氧化物的二维纳米片、过渡金属硫化物的二维纳米片、石墨烯、氧化石墨烯、磷单质的二维纳米片、粘土的二维纳米片中的一种或两种以上的组合； 当所述二维纳米片包括MXenes、石墨烯、氧化石墨烯、磷单质的二维纳米片中的一种或两种以上的组合时，所述等离子体处理的处理时间为0.5min-5min； 当所述二维纳米片为金属氧化物的二维纳米片、过渡金属硫化物的二维纳米片、粘土的二维纳米片中的一种或两种以上的组合时，所述等离子体处理的处理时间为10min-30min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清华大学，其通讯地址为：100084 北京市海淀区清华园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。