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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117105165B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311083741.6，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL是由王小龙;于舒睿;蒋宁;佟存柱设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，具体提供一种宽调谐范围的可调谐MEMS‑VCSEL，在常规VCSEL结构上设计了分段式的MEMS结构，MEMS单元包括两个功能区，每个功能区内均包括一个空气层，并通过调整相应的厚度控制层，对两个空气层的厚度进行改变，通过对两个功能区进行电压驱动，使MEMS悬臂产生形变，改变谐振腔长，进而实现对输出波长的调谐，通过分别控制两个MEMS功能区，悬臂可实现向上和向下的弯曲，有效的扩大了在MEMS悬臂的最大位移范围，即提高了波长调谐范围。本发明扩大了MEMS悬臂部分可实现的最大位移范围，解决了在小气隙厚度下MEMS结构调谐范围受限的问题。

本发明授权宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL在权利要求书中公布了：1.一种宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL，其特征在于，包括VCSEL单元和MEMS单元； MEMS单元包括： 第一厚度控制层，其设置在VCSEL单元的电极上，并在内部形成第一空气层，所述第一厚度控制层用于控制所述第一空气层的厚度； MEMS悬臂，其设置在所述第一厚度控制层上，可通过施加电压使所述MEMS悬臂产生形变，改变谐振腔长，进而实现对输出波长的调谐； 第一MEMS电极，其设置在出光口外侧的所述MEMS悬臂的上表面上，所述MEMS悬臂的上表面中央位置上设置有第二DBR，所述第二DBR为不同折射率半导体材料交替生长的周期结构，所述第二DBR的周期数小于第一DBR的周期数，所述第一DBR和所述第二DBR构成谐振腔； 第二厚度控制层，其设置在所述第一MEMS电极的上表面边缘位置上，并在内部形成第二空气层，所述第二厚度控制层用于控制所述第二空气层的厚度； 第二MEMS电极，其设置在出光口外侧的所述第二厚度控制层上； VCSEL单元包括： 第一VCSEL电极； 衬底，其设置在所述第一VCSEL电极上； 第一DBR，其设置在所述衬底上，为不同折射率材料交替生长的周期结构； 有源区，为多量子阱结构，用于提供光增益，其向下与所述第一DBR连接，向上与绝缘层连接； 电流限制层，其设置在所述绝缘层中间位置的上方，用于对非注入的电流区形成电隔离； 第二VCSEL电极，其铺设在出光口外侧，第一厚度控制层设置在第二VCSEL电极的上表面边缘位置上； 通过MEMS的驱动电源对第二VCSEL电极和第一MEMS电极进行加压驱动，第二VCSEL电极同时作为MEMS第一空气层的负极，调节驱动电源，第一空气层内两极板间产生的静电力吸引使得MEMS悬臂从中心产生向上凹陷的形变，MEMS-VCSEL的谐振腔长减小，输出波长向短波方向被调谐； 通过MEMS的驱动电源对第一MEMS电极和第二MEMS电极进行加压驱动，第二空气层内两极板间产生的静电力吸引使得MEMS悬臂从中心产生向上凸起的形变，MEMS-VCSEL的谐振腔长增大，输出波长向长波方向被调谐。

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