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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利晶圆级封装中电子束蒸发沉积焊料的工艺以及晶圆级封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117107199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311124759.6，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权晶圆级封装中电子束蒸发沉积焊料的工艺以及晶圆级封装工艺是由李萌萌;黄添萍设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆级封装中电子束蒸发沉积焊料的工艺以及晶圆级封装工艺在说明书摘要公布了：本公开提供一种晶圆级封装中电子束蒸发沉积焊料的工艺以及晶圆级封装工艺。晶圆级封装中电子束蒸发沉积焊料的工艺包括步骤：步骤S1，将质量比为4:1的Au料和Sn料放入坩埚中，形成原始金锡混料；步骤S2，腔室抽真空并维持真空；步骤S3，启动电子束蒸发源，电子束对原始金锡混料蒸发第一层金锡混料，以沉积到晶圆衬底上以形成第一层镀膜；步骤S4，对坩埚内的第二层金锡混料电子束蒸发，以沉积到第一层镀膜上以形成第二层镀膜；步骤S5，对坩埚内的第三层金锡混料电子束蒸发，以沉积到第二层镀膜上以形成第三层镀膜；步骤S3至S5中，步骤S3中的电子束的功率最小，步骤S5中的电子束的功率最大；步骤S3至S5完成后，累积的镀膜形成金锡焊料。

本发明授权晶圆级封装中电子束蒸发沉积焊料的工艺以及晶圆级封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级封装中电子束蒸发沉积焊料的工艺，其特征在于，包括步骤： 步骤S1，将质量比为4:1的Au料和Sn料放入真空蒸镀装置的腔室内的坩埚中，搅拌使Au料和Sn料混合形成原始金锡混料； 步骤S2，将真空蒸镀装置的腔室抽真空并维持真空； 步骤S3，启动真空蒸镀装置的腔室内的电子束蒸发源，电子束蒸发源发出的电子束对坩埚内的原始金锡混料从表面开始往内部蒸发第一层金锡混料，以使电子束蒸发的第一层金锡混料沉积到晶圆衬底上以形成第一层镀膜； 步骤S4，在晶圆衬底上形成的第一层镀膜达到第一厚度后，继续对坩埚内的用完第一层金锡混料后的第二层金锡混料进行电子束蒸发，以使电子束蒸发的第二层金锡混料沉积到晶圆衬底的第一层镀膜上以形成第二层镀膜； 步骤S5，在晶圆衬底上形成的第二层镀膜达到第二厚度后，继续对坩埚内的用完第二层金锡混料后的第三层金锡混料进行电子束蒸发，以使电子束蒸发的第三层金锡混料沉积到晶圆衬底的第二层镀膜上以形成第三层镀膜； 在步骤S3至步骤S5中，步骤S3中的电子束的功率最小，步骤S5中的电子束的功率最大； 在步骤S3至步骤S5完成后，晶圆衬底累积的镀膜形成金锡焊料； 其中， 在步骤S3中，电子束的功率为1000-1300W，沉积的速率为4-6Ås，沉积达到的第一厚度为500±200nm； 在步骤S4中，电子束的功率为1300-1500W，沉积的速率为4-6Ås，沉积达到的第二厚度为1000±400nm； 在步骤S5中，电子束的功率为1500-1800W，沉积的速率为4-6Ås，沉积达到的第三厚度为1000±200nm。

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