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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种细胞筛结构制备方法以及细胞筛结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117180988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311020768.0，技术领域涉及：B01D61/14；该发明授权一种细胞筛结构制备方法以及细胞筛结构是由张琛琛;杨华彬;李俊杰;周娜;高建峰;李俊峰;罗军设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种细胞筛结构制备方法以及细胞筛结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种细胞筛结构制备方法以及细胞筛结构，涉及细胞筛选技术领域，以解决现有用于细胞分离的微流控系统需要额外增加气流驱动结构且容易堵塞的问题。细胞筛结构制备方法包括：在衬底上形成纳米筛结构；所述纳米筛结构包括多个目标尺寸的纳米线凹槽；所述目标尺寸包括目标宽度和目标高度；所述目标宽度为目标细胞的直径；从所述衬底背部向上刻蚀所述衬底，形成腔体，使目标区域的所述纳米筛结构悬空，得到细胞筛结构；所述腔体用于容纳经所述纳米筛结构筛选后的目标细胞。本发明提供的细胞筛结构制备方法用于避免细胞筛选时出现堵塞且不需要额外驱动气流促使细胞流动。

本发明授权一种细胞筛结构制备方法以及细胞筛结构在权利要求书中公布了：1.一种细胞筛结构制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成纳米筛结构；所述纳米筛结构包括多个目标尺寸的纳米线凹槽；所述目标尺寸包括目标宽度和目标高度；所述目标宽度为目标细胞的直径； 从所述衬底背部向上刻蚀所述衬底，形成腔体，使目标区域的所述纳米筛结构悬空，得到细胞筛结构；所述腔体用于容纳经所述纳米筛结构筛选后的目标细胞； 所述在衬底上形成纳米筛结构包括： 在衬底上沉积N层叠层；每层所述叠层包括牺牲层和材料层，所述牺牲层沉积在所述材料层上；N大于或等于2； 形成所述N层叠层对应的2N个侧墙结构； 在2N个所述侧墙结构和最底层叠层中的材料层上生长一层辅助层； 对2N个所述侧墙结构中除牺牲层以外的结构进行平坦化处理并去除剩下的所述牺牲层，形成2N个纳米线凹槽，得到纳米筛结构； N层叠层包括N2个阵列单元，每个阵列单元均包括第一叠层和第二叠层，所述形成所述N层叠层对应的2N个侧墙结构包括： 针对N层叠层中的任意一个所述阵列单元， 在第一叠层的材料层上形成牺牲结构； 在第一叠层的材料层和所述牺牲结构上生长一层形成层； 刻蚀所述形成层，在所述牺牲结构两侧形成第一侧墙结构； 去除所述牺牲结构并以所述第一侧墙结构为掩膜向下刻蚀第二叠层的材料层和牺牲层，形成该阵列单元对应的第二侧墙结构；所述N层叠层对应有2N个所述第二侧墙结构； 去除N层叠层对应的2N个所述第二侧墙结构中的形成层和材料层，得到N层叠层对应的2N个侧墙结构。

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