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龙图腾网获悉北京航天时代光电科技有限公司申请的专利一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117283451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311080894.5，技术领域涉及：B24B37/27；该发明授权一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法是由乔建坤;夏君磊;郑国康;周建伟;孙钰;窦长旋设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法，包括：准备陪磨片和陪片，将陪磨片的输入端和输出端分别粘接陪片得到陪磨片组件；准备铌酸锂芯片；将陪磨片、陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体；将芯片组合体的四个侧面旋涂胶水后并固化。本发明能够研磨出无陪片的铌酸锂芯片，进而提高了铌酸锂器件的可靠性和性能的提升。

本发明授权一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法，其特征在于包括： 准备陪磨片和陪片，将陪磨片的输入端和输出端分别粘接陪片得到陪磨片组件； 准备铌酸锂芯片； 将陪磨片、陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体； 将芯片组合体的四个侧面旋涂胶水后并固化； 所述陪磨片组件包括陪磨片和两个陪片；其中， 所述陪磨片的输入端粘接一个陪片，所述陪磨片的输出端粘接另一个陪片； 所述陪片的边沿与所述陪磨片的边沿对齐； 粘接用的胶为硅橡胶，粘接后加热进行固化；其中，固化条件为80℃持续时间为1h； 准备铌酸锂芯片包括： 将铌酸锂芯片用划切机划切开，清洗后，表面旋涂一层光刻胶，常温固化后备用； 将陪磨片、陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体包括： 准备好芯片粘接平台，擦净粘接平台表面污垢后开始粘接，第一片为陪磨片，第二片为陪磨片组件，第三片为铌酸锂芯片，第四片为陪磨片组件，第五片为陪磨片，得到芯片组合体； 所述芯片组合体的上侧面、下侧面、左侧面和右侧面旋涂UV胶后并固化；其中，固化为面光源照射2min； 所述铌酸锂芯片的厚度为1mm，光刻胶的固化条件为常温固化，且旋涂光刻胶厚度为50μm-100μm； 粘接胶准备：铌酸锂芯片无陪片装卡工艺需要用到3款胶水，一款胶水用于芯片与芯片的粘接，此胶水为一款UV胶；另外一款胶水为硅橡胶，此胶水用于陪磨片与陪片的粘接；最后一款胶水为光刻胶，用于正式芯片表面图形的保护，UV胶为一款可去除的UV胶，且能够耐研磨。

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