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龙图腾网获悉秀博瑞殷株式公社申请的专利成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117295846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280032422.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件是由金种文;郑在善;陈齐俊;延昌峰设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制造的半导体器件，根据本发明，具有降低生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够提供共形的薄膜，并且提供减少薄膜中的杂质并大幅提高薄膜的密度以大幅减少在现有的高温工序中因下部电极的氧化而产生的泄漏电流的成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件的效果。

本发明授权成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种成膜组合物，其特征在于， 包含成膜材料、无机前体以及反应气体， 其中，所述成膜材料包括封端剂和配体交换反应剂， 所述封端剂为，在成膜工序中由成膜材料形成的碳原子数为2～15的不饱和烃， 所述配体交换反应剂为，在成膜工序中由成膜材料形成并与无机前体的配体进行交换反应的卤化氢或卤素气体， 所述成膜材料为，由化学式1表示的支链型化合物、环状化合物或芳族化合物， 化学式1： 其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基，所述X为氟F、氯Cl、溴Br以及碘I中的一种以上，所述Y和Z独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同，所述n为1～15的整数，所述o为1以上的整数，m为0～2n+1，所述i和j为0～3的整数， 所述无机前体为选自由化学式2a表示的化合物、由化学式2b表示的化合物以及由化学式2c表示的化合物中的一种以上的薄膜残留前体， 化学式2a： 其中，所述M为Zr、Hf、Si、Ge或Ti，所述X、X、X独立地为-NR或-OR，所述R～R独立地为碳原子数为1～6的烷基，所述n为1或2， 化学式2b： 其中，所述M为Zr、Hf、Si、Ge或Ti，R1独立地为氢、碳原子数为1～4的烷基，所述n为0～5的整数，X'1、X'2以及X'3独立地为-NR'1R'2或-OR'3，所述R'1～R'3独立地为碳原子数为1～6的烷基， 化学式2c： 其中，所述M1为Zr、Hf、Si、Ge或Ti，X11和X12彼此独立地为烷基或选自-NR3R4以及-OR5中的任一种，所述R1～R5各自独立地为碳原子数为1～6的烷基，所述n1和n2各自独立地为0～5的整数， 所述反应气体为氧化剂， 所述成膜材料、无机前体以及反应气体在形成于基板的TiN薄膜上形成金属氧化物薄膜。

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