西安交通大学孟国栋获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种用于超薄背栅铁电介质层的电极结构及极化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311369177.4，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种用于超薄背栅铁电介质层的电极结构及极化方法是由孟国栋;折俊艺;余浩;刘鑫;成永红设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于超薄背栅铁电介质层的电极结构及极化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于超薄背栅铁电介质层的电极结构及极化方法，包括源极、漏极和栅极；铁电介质层上表面设置有沟道，所述源极和漏极分别设置于沟道的两端，所述栅极设置于铁电介质层下表面；所述源极和栅极之间设置有第一极化脉冲输入端口，所述漏极和栅极之间设置有第二极化脉冲输入端口。本发明解决了铁电薄膜超薄的厚度引入低击穿强度，以及背栅结构无法施加垂直沟道作用的极化电场，导致极化不充分的问题，实现了对场效应晶体管中作背栅介质层的氧化铪基超薄铁电薄膜极化性能的调控，进一步提升剩余极化场的可靠性和稳定性，为构筑场效应器件浮栅结构，抑制器件泄漏和功耗具有重要意义。
本发明授权一种用于超薄背栅铁电介质层的电极结构及极化方法在权利要求书中公布了：1.一种用于超薄背栅铁电介质层的极化方法，基于用于超薄背栅铁电介质层的电极结构，所述用于超薄背栅铁电介质层的电极结构包括源极、漏极和栅极； 铁电介质层上表面设置有沟道，所述源极和漏极分别设置于沟道的两端，所述栅极设置于铁电介质层下表面； 所述源极和栅极之间设置有第一极化脉冲输入端口，所述漏极和栅极之间设置有第二极化脉冲输入端口； 所述铁电介质层的厚度为10nm； 其特征在于，包括： 在所述栅极和源极以及所述栅极和漏极之间分别通过第一极化脉冲输入端口以及第二极化脉冲输入端口同时周期性地施加双极性脉冲，其中，双极性脉冲施加的波形包括逐级升压和循环保持两个阶段，直至铁电介质层极化充分； 所述逐级升压和循环保持两个阶段，具体为：在逐级升压阶段电压幅值逐级递增至铁电薄膜矫顽电压附近，循环保持阶段幅值恒定为矫顽电压。
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