中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张兴旺获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利悬空式二维材料薄膜的制备方法及悬空式二维材料薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311593150.3，技术领域涉及：C01G41/00；该发明授权悬空式二维材料薄膜的制备方法及悬空式二维材料薄膜是由张兴旺;陈玉华设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本悬空式二维材料薄膜的制备方法及悬空式二维材料薄膜在说明书摘要公布了：本发明公开了一种悬空式二维材料薄膜的制备方法及悬空式二维材料薄膜，制备方法包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述衬底的第一表面上形成牺牲层薄膜；在所述衬底的第二表面上形成通孔，所述通孔暴露出所述牺牲层薄膜；获取二维材料薄膜，将所述二维材料薄膜转移至所述牺牲层薄膜上，且所述二维材料薄膜覆盖住所述通孔设置；自所述衬底的第二表面对所述牺牲层薄膜进行刻蚀，直至暴露出所述二维材料薄膜，形成悬空式二维材料薄膜。本发明的悬空式二维材料薄膜的制备方法及悬空式二维材料薄膜，具有二维材料薄膜转移难度低、测试时光源影响小、有效拓宽测试手段的优点。
本发明授权悬空式二维材料薄膜的制备方法及悬空式二维材料薄膜在权利要求书中公布了：1.一种悬空式二维材料薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面； 在所述衬底的第一表面上形成牺牲层薄膜； 在所述衬底的第二表面上形成通孔，所述通孔暴露出所述牺牲层薄膜； 获取二维材料薄膜，将所述二维材料薄膜转移至所述牺牲层薄膜上，且所述二维材料薄膜覆盖住所述通孔设置； 自所述衬底的第二表面对所述牺牲层薄膜进行刻蚀，直至暴露出所述二维材料薄膜，形成悬空式二维材料薄膜。
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