西安交通大学张琪获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利自支撑非晶碳薄膜NEMS加速度传感器芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117761349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311786680.X，技术领域涉及：G01P15/08；该发明授权自支撑非晶碳薄膜NEMS加速度传感器芯片及制备方法是由张琪;梁晓雅;庞星;赵玉龙设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本自支撑非晶碳薄膜NEMS加速度传感器芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于纳机电系统加速度传感器技术领域，公开了一种自支撑非晶碳薄膜NEMS加速度传感器芯片及制备方法；所述加速度传感器芯片包括：芯片基底、石墨烯叉指电极、非晶碳敏感薄膜和金属电极；芯片基底包括自下而上依次设置的硅基底、氧化硅层和氮化硅层；氮化硅层上沉积有金属电极、非晶碳敏感薄膜；非晶碳敏感薄膜包括悬浮于沟槽上的非晶碳敏感梁、覆盖在氮化硅层的质量块上的第一敏感薄膜区域和覆盖在氮化硅层的固定外框上的第二敏感薄膜区域；金属电极和非晶碳敏感薄膜上转移有石墨烯叉指电极。本发明技术方案可降低现有非晶碳传感器的欧姆接触电阻率，通过纳米级厚度的敏感梁和叉指电极结构能够提高传感器的灵敏度。
本发明授权自支撑非晶碳薄膜NEMS加速度传感器芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑非晶碳薄膜NEMS加速度传感器芯片，其特征在于，包括：芯片基底、石墨烯叉指电极1、非晶碳敏感薄膜2和金属电极3；其中， 所述芯片基底包括自下而上依次设置的硅基底6、氧化硅层5和氮化硅层4；所述硅基底6、所述氧化硅层5和所述氮化硅层4的形状一致，均包括固定外框和质量块；其中，所述质量块由所述固定外框围绕，所述固定外框和所述质量块之间通过沟槽隔离； 所述氮化硅层4上沉积有所述金属电极3、所述非晶碳敏感薄膜2；其中，所述金属电极3设置于所述氮化硅层4的固定外框上，且不与所述非晶碳敏感薄膜2直接接触；所述非晶碳敏感薄膜2包括悬浮于沟槽上的非晶碳敏感梁、覆盖在所述氮化硅层4的质量块上的第一敏感薄膜区域和覆盖在所述氮化硅层4的固定外框上的第二敏感薄膜区域； 所述金属电极3和所述非晶碳敏感薄膜2上转移有所述石墨烯叉指电极1；其中，所述非晶碳敏感薄膜2通过所述石墨烯叉指电极1与所述金属电极3连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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