季华实验室杨一新获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种高精密掩膜板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117987771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410108509.1，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权一种高精密掩膜板及其制备方法是由杨一新设计研发完成，并于2024-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高精密掩膜板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及掩膜板制备技术领域，公开了一种高精密掩膜板及其制备方法，其包括步骤：在载板上制备分离层；采用真空镀膜的方式在分离层上制备掩膜片箔膜；在掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜；对掩膜片箔膜进行刻蚀处理进行刻蚀处理，将得到的刻蚀掩膜片预固定在掩膜框上；将刻蚀掩膜片与载板进行分离；将分离后的刻蚀掩膜片通过激光焊接的方式二次固定在掩膜框上，制得所述高精密掩膜板。本发明方法能够实现在较薄且具有较佳强度的掩膜片箔膜上进行精密刻蚀，从而制得高精密掩膜板，且本发明刻蚀掩膜片与掩膜框以组件形式绑定，这样制得的掩膜板在分离和搬送时不易起皱或破裂。
本发明授权一种高精密掩膜板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高精密掩膜板的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在载板上制备分离层，所述载板为透明载板，所述分离层为由牺牲层和像素限制膜层依次叠合的组合层； 采用真空镀膜的方式在所述分离层上制备掩膜片箔膜，所述掩膜片箔膜的材料为镍铁合金、镍铁钴合金、陶瓷、玻璃、金刚石和类金刚石中的一种；所述掩膜片箔膜的厚度为0.3μm-15μm； 在所述掩膜片箔膜上制备第二光阻膜层并在所述第二光阻膜层上进行图案光刻处理，形成光阻图案膜； 基于所述光阻图案膜对所述掩膜片箔膜进行穿透刻蚀处理，得到刻蚀掩膜片； 通过激光焊接的方式将所述刻蚀掩膜片固定在掩膜框上； 通过激光扫描的方式将牺牲层去除，使得所述刻蚀掩膜片以及像素限制膜层与所述透明载板分离； 直接对所述像素限制膜层进行激光打孔，激光打孔的位置与所述刻蚀掩膜片上的刻蚀位置相对应，且所述激光打孔的孔径小于刻蚀掩膜片上刻蚀形成的孔径，从而制得所述高精密掩膜板。
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