成都宏科电子科技有限公司江俊俊获国家专利权
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龙图腾网获悉成都宏科电子科技有限公司申请的专利一种提高SrTiO3半导体陶瓷基片抗电强度的氧化剂浆料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118047604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311813102.0，技术领域涉及：C04B35/453；该发明授权一种提高SrTiO3半导体陶瓷基片抗电强度的氧化剂浆料及其制备方法和应用是由江俊俊;唐平;王兴才;吴晓东;雷平;李在映设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高SrTiO3半导体陶瓷基片抗电强度的氧化剂浆料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高SrTiO3半导体陶瓷基片抗电强度的氧化剂浆料及其制备方法和应用，涉及氧化剂浆料及制备方法和应用的技术领域，氧化剂浆料包括由主体材料和添加料制备得到，所述主体材料为Bi2O3，所述添加料包括ZnO、Al2O3、B2O3、CuO、MnO2、Fe2O3中的一种或多种物质的混合。本申请采用Bi2O3为主体材料，微量添加ZnO、Al2O3、B2O3、CuO、MnO2、Fe2O3中的一种或几种，得到的氧化剂浆料在氧化烧结时有利于熔融进入SrTiO3基半导体晶粒的晶界，对半导化的SrTiO3晶粒更好的浸润、包覆，形成半导化“芯”和绝缘性“壳”的“芯‑壳”结构，本申请的氧化剂浆料不含Pb等重金属元素，并可有效提高晶界层陶瓷材料抗电强度。
本发明授权一种提高SrTiO3半导体陶瓷基片抗电强度的氧化剂浆料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种提高SrTiO3半导体陶瓷基片抗电强度的氧化剂浆料，其特征在于，包括由主体材料和添加料制备得到，所述主体材料为Bi2O3，质量百分数为74％；所述添加料为ZnO、Al2O3、B2O3、CuO、MnO2和Fe2O3，质量百分数依次为6％、3％、6％、4％、3％和4％。
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