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龙图腾网获悉张家口卷烟厂有限责任公司申请的专利制备CdSe纳米晶体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118125385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311758059.2，技术领域涉及：C01B19/04；该发明授权制备CdSe纳米晶体的方法是由李自娟;吕萱;解民;陈娇娇;高杨;马燕玲;孙朔;赵海洋;王佳;武婷婷;冯子贤;李洁;杨晓华;乔宝合;赵力源;李素艳设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本制备CdSe纳米晶体的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备CdSe纳米晶体的方法，包括S1采用超声分散法使硒在1‑十八烯中良好分散，得到Se‑SUS；S2得到Cd前驱体混合物鼓泡并将其加热；S3将Se‑SUS快速注入到三颈烧瓶中进行小尺寸CdSe纳米晶体生长；S4采用逐步生长法制备大尺寸CdSe纳米晶体，将油酸加入到S1制备好的Se‑SUS中得到Se‑OA‑SUS，将Se‑OA‑SUS分次快速注入到三颈烧瓶并继续生长10分钟；S5加入油胺并持续反应10分钟，对尺寸分布较差的CdSe纳米晶体进行尺寸稳定；S6原位纯化。本发明可为CdSeQDs在体内成像多色标记等应用提供借鉴。

本发明授权制备CdSe纳米晶体的方法在权利要求书中公布了：1.制备CdSe纳米晶体的方法，其特征在于：包括 S1将硒粉0.0473g±0.0001g在1-十八烯6±0.01mL中采用超声分散法使硒在1-十八烯中良好分散，得到Se-SUS； S2将硬脂酸镉0.68±0.001g和1-十八烯10±0.01mL装入三颈烧瓶中得到Cd前驱体混合物，用氩气鼓泡5±0.5分钟，将Cd前驱体混合物加热到250±5℃； S3将S1制备好的1±0.01mLSe-SUS在250±5℃快速注入到三颈烧瓶中，并在250±5℃条件下生长10±0.5分钟，进行小尺寸CdSe纳米晶体生长； S4采用逐步生长法制备大尺寸CdSe纳米晶体； 将1±0.01mL油酸加入到S1制备好的Se-SUS中得到Se-OA-SUS，将1.2±0.01mLSe-OA-SUS快速注入到250±5℃的三颈烧瓶并继续生长10±0.5分钟； 随后继续将1.4±0.01mLSe-OA-SUS快速注入到250±5℃的三颈烧瓶并继续生长10±0.5分钟； S5向三颈烧瓶中加入1±0.01mL油胺并在260±5℃条件下持续反应10±0.5分钟，对尺寸分布较差的CdSe纳米晶体进行尺寸稳定； S6将反应混合物自然冷却到50±5℃，进行原位纯化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人张家口卷烟厂有限责任公司，其通讯地址为：075000 河北省张家口市桥东区钻石北路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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