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龙图腾网获悉西北有色金属研究院申请的专利一种异质结构纳米晶钽钨合金薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118222992B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410340298.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种异质结构纳米晶钽钨合金薄膜及其制备方法是由孙朔;王晖;冯铮;张新;薛建嵘;李延超;张文设计研发完成，并于2024-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结构纳米晶钽钨合金薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质结构纳米晶钽钨合金薄膜及其制备方法，该方法选用电子束真空熔炼制备的钽钨合金作为靶材，使用直流磁控溅射方法在衬底上制备由接近衬底的小晶粒尺寸柱状晶结构和接近表面的大晶粒尺寸柱状晶结构组成的异质结构纳米晶钽钨合金薄膜。本发明采用直流磁控溅射方法，选用钽钨合金作为靶材，通过调控直流磁控溅射参数包括溅射功率、溅射时间和衬底温度以调节薄膜结构，获得小晶粒尺寸和大晶粒尺寸柱状晶结构混合的双峰异质结构纳米晶钽钨合金薄膜，提高了钽钨合金薄膜的硬度，该钽钨合金薄膜适用于炮管涂层、刀具涂层等领域。

本发明授权一种异质结构纳米晶钽钨合金薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结构纳米晶钽钨合金薄膜的制备方法，其特征在于，该方法选用电子束真空熔炼制备的钽钨合金作为靶材，使用直流磁控溅射方法在衬底上制备异质结构纳米晶钽钨合金薄膜；所述钽钨合金靶材中各元素的质量百分比为：Ta88%~98%，W2%~12%；所述异质结构纳米晶钽钨合金薄膜由接近衬底的小晶粒尺寸柱状晶结构和接近表面的大晶粒尺寸柱状晶结构组成；所述制备的具体步骤包括： 步骤一、将钽钨合金靶材安装于磁控溅射设备的靶位上，并调整钽钨合金靶材与衬底基面距离为65mm，然后打开机械泵、电磁阀和分子泵抽真空至5×10-4Pa； 步骤二、打开氩气阀门向溅射室内通入氩气，并使用气体流量计调节氩气流量为30sccm，然后通过调节闸板阀将工作气压调节至0.8Pa； 步骤三、打开直流溅射电源，将溅射功率调节至80W，对钽钨合金靶材进行预溅射10min，待溅射功率稳定后打开挡板对衬底进行溅射：首先在80W的溅射功率下溅射30min~60min制备小晶粒尺寸柱状晶结构，然后将溅射功率增加至100W~120W，并打开衬底加热电源将温度调节至300℃进行溅射制备大晶粒尺寸柱状晶结构，冷却至室温后取出，在衬底上得到异质结构纳米晶钽钨合金薄膜；保持总溅射时长为2h，所述异质结构纳米晶钽钨合金薄膜的厚度为3μm~5μm。

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