杭州南河新能源科技有限公司高夏洁获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州南河新能源科技有限公司申请的专利一种硅片的化学抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118292115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410408718.8，技术领域涉及：C30B33/10；该发明授权一种硅片的化学抛光方法是由高夏洁;焦晓皎;张潇天;王凯;王丽;于东红;吴春勇;李泽设计研发完成，并于2024-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅片的化学抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及硅片加工领域，尤其涉及一种硅片的化学抛光方法，所述方法包括以下步骤：S.1在硅片表面涂覆一层液态的牺牲剂；S.2将牺牲剂经过自然流平之后固化，从而在硅片表面形成一层可被抛光液腐蚀的牺牲层；S.3将得到的表面带有牺牲层的硅片置于抛光液中进行化学抛光；S.4抛光结束后对硅片进行清洗，得到抛光硅片。通过在硅片表面形成一层牺牲层，能够使得硅片在化学抛光过程中从表面的最高点至最低点之间逐渐、依次进行化学腐蚀抛光，最终形成一个表面深度一致，光滑平整的抛光面，有效解决了传统化学抛光方法对硅片表面腐蚀深度难以控制的问题，从而便于控制最终的抛光效果。
本发明授权一种硅片的化学抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片的化学抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： S.1在硅片表面涂覆一层液态的牺牲剂； S.2将牺牲剂经过自然流平之后固化，从而在硅片表面形成一层可被抛光液腐蚀的牺牲层；所述牺牲剂包括可固化有机聚硅氧烷类材料，所述可固化有机聚硅氧烷类材料为热固化有机硅材料、光固化有机硅材料、湿气固化有机硅材料中的任意一种；所述牺牲剂中还含有腐蚀速率控制剂，所述腐蚀速率控制剂为聚硼硅氧烷，所述聚硼硅氧烷的添加量为可固化有机聚硅氧烷类材料质量的2%~15%； S.3将得到的表面带有牺牲层的硅片置于抛光液中进行化学抛光； S.4抛光结束后对硅片进行清洗，得到抛光硅片。
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