哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)刘向力获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118600380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410704817.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法是由刘向力;柏贺达设计研发完成，并于2024-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，包括以下步骤：沉积过程：采用高功率磁控溅射技术在介质陶瓷基体表面沉积金属层，首先，通过调节高功率磁控溅射技术的频率和脉宽将峰值电流增大，获得高密度的等离子，之后，降低介质陶瓷基体的旋转速度，在介质陶瓷基体后方增加辅助阴极，增加等离子体运动的方向性，以获得不同倾角的柱状晶。本发明的有益效果是：此方法仅需在介质陶瓷表面沉积一层Cu金属层即可，减少介质陶瓷表面金属化的制程，大大降低了生产成本，并且，不需要在制备过程中通入还原性气体，制备工艺较简单。
本发明授权一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种介质滤波器表面金属化涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 沉积过程：采用高功率磁控溅射技术在介质陶瓷基体表面沉积金属层，首先，通过调节高功率磁控溅射技术的频率和脉宽将峰值电流增大，获得高密度的等离子，之后，降低介质陶瓷基体的旋转速度，在介质陶瓷基体后方增加辅助阴极，增加等离子体运动的方向性，以获得不同倾角的柱状晶； 在沉积过程中，保持介质陶瓷基体与靶材的角度为20°至30°； 在沉积过程中，将介质陶瓷基体置于氩气环境，在介质陶瓷基体后方放置一块金属板作为辅助阴极，该辅助阴极的大小大于介质陶瓷基体，使介质陶瓷基体无法完全挡住靶材与辅助阴极； 所述辅助阴极设置负偏压，大小为200～500V，炉内真空度为0.05～0.3Pa，介质陶瓷基体施加脉冲偏压为50～200V、占空比为40～90％的条件下，开启靶材，调整HiPIMS电源，频率为300HZ，脉宽为100μs，在介质陶瓷基体表面沉积Cu层。
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