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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利硫系玻璃基底1064nm及7.7-10.5μm增透膜系的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118754457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410921388.2，技术领域涉及：C03C17/34；该发明授权硫系玻璃基底1064nm及7.7-10.5μm增透膜系的制备方法是由梁献波;刘梦佳;张海燕;刘克武设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本硫系玻璃基底1064nm及7.7-10.5μm增透膜系的制备方法在说明书摘要公布了：一种硫系玻璃基底1064nm及7.7‑10.5μm增透膜系的制备方法包括步骤：S1，将作为镜片的硫系玻璃基底的陪镀片和产品清洁；S2，将清洁的镜片放入工装夹具，挂入真空镀膜机；S3，抽真空，离子源进行清洗；S4，维持真空度，在镜片的第一面蒸镀第一Y2O3膜层；S5，蒸镀第一YbF3膜层；S6，蒸镀第一ZnSe膜层；S7，蒸镀第二YbF3膜层；S8，蒸镀第二ZnSe膜层；S9，蒸镀第三YbF3膜层；S10，蒸镀第二Y2O3膜层；S11，蒸镀第四YbF3膜层；S12，蒸镀第三ZnSe膜层；S13，蒸镀第五YbF3膜层；S14，蒸镀第四ZnSe膜层；S15，第四ZnSe膜层镀制完成后，冷却将工装夹具连同陪镀片和产品取出；S16，重复步骤S1至步骤S15，在镜片的相反的第二面依次蒸镀。

本发明授权硫系玻璃基底1064nm及7.7-10.5μm增透膜系的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硫系玻璃基底1064nm及7.7-10.5μm增透膜系的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1，将作为镜片的硫系玻璃基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，硫系玻璃基底为IG06基底，陪镀片的厚度为0.9-1.5mm； S2，将清洁处理好的镜片放入工装夹具，放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内，腔体的温度设定为120-130°C； S3，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1.5×10-3Pa，打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.0-2.5A、发射极的电流为1.3-1.5A； S4，维持前述真空度，在镜片的第一面蒸镀第一Y2O3膜层，第一Y2O3膜层的沉积速率为0.3nms，控制第一Y2O3膜层的膜厚为15nm±1nm，不采用离子源辅助蒸镀； S5，在镀制的第一Y2O3膜层上蒸镀第一YbF3膜层，第一YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，控制第一YbF3膜层的膜厚为66.2nm±3nm，不采用离子源辅助蒸镀； S6，在镀制的第一YbF3膜层上蒸镀第一ZnSe膜层，第一ZnSe膜层沉积的速率为0.8nms，控制第一ZnSe膜层的膜厚为48.3nm±2nm，不采用离子源辅助蒸镀； S7，在镀制的第一ZnSe膜层上蒸镀第二YbF3膜层，第二YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，控制第二YbF3膜层的膜厚为80.2nm±3nm，不采用离子源辅助蒸镀； S8，在镀制的第二YbF3膜层上蒸镀第二ZnSe膜层，第二ZnSe膜层沉积的速率为0.8nms，控制第二ZnSe膜层的膜厚为608.3nm±5nm，不采用离子源辅助蒸镀； S9，在镀制的第二ZnSe膜层上蒸镀第三YbF3膜层，第三YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，控制第三YbF3膜层的膜厚为800nm±5nm，不采用离子源辅助蒸镀； S10，在镀制的第三YbF3膜层上蒸镀第二Y2O3膜层，第二Y2O3膜层沉积的速率为0.3nms，控制第二Y2O3膜层的膜厚为15nm±1nm，不采用离子源辅助蒸镀； S11，在镀制的第二Y2O3膜层上蒸镀第四YbF3膜层，第四YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，控制第四YbF3膜层的膜厚为421.5nm±5nm，不采用离子源辅助蒸镀； S12，在镀制的第四YbF3膜层上蒸镀第三ZnSe膜层，第三ZnSe膜层的沉积速率为0.8nms，控制第三ZnSe膜层的膜厚为32nm±2nm，不采用离子源辅助蒸镀； S13，在镀制的第三ZnSe膜层上蒸镀第五YbF3膜层，第五YbF3膜层的沉积速率为0.6nms，控制第五YbF3膜层的膜厚为156.8nm±5nm，不采用离子源辅助蒸镀； S14，在镀制的第五YbF3膜层上蒸镀第四ZnSe膜层，第四ZnSe膜层的沉积速率为0.8nms，控制第四ZnSe膜层的膜厚为26nm±1nm，不采用离子源辅助蒸镀； S15，蒸镀第四ZnSe膜层镀制完成后，待真空室冷却至60℃以下将工装夹具连同陪镀片和产品取出； S16，重复步骤S1至步骤S15，在镜片的相反的第二面依次蒸镀第一Y2O3膜层、第一YbF3膜层、第一ZnSe膜层、第二YbF3膜层、第二ZnSe膜层、第三YbF3膜层、第二Y2O3膜层、第四YbF3膜层、第三ZnSe膜层、第五YbF3膜层、第四ZnSe膜层。

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