北京理工大学闫崇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利定向结构无负极电极及其制备方法、电化学装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118867257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410822292.0，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权定向结构无负极电极及其制备方法、电化学装置是由闫崇;张硕;黄佳琦;刘志群;廖湘标设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本定向结构无负极电极及其制备方法、电化学装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种定向结构无负极电极及其制备方法、电化学装置。定向结构无负极电极包括：集流体；至少覆盖集流体一侧表面的复合界面层；复合界面层包括：含锂无机物界面层，至少设置于集流体的一侧表面；有机物界面层，设置于含锂无机物界面层背离集流体的一侧，有机物界面层分散或连续的设置多个内凹部，内凹部自有机物界面层背离含锂无机物界面层的表面延伸至含锂无机物界面层。含锂无机物界面层可加快锂离子在平行于电极表面方向的运输，改善锂形核和生长行为，促进形成规整垛状的锂沉积，改善锂沉积界面的环境。内凹部可限制锂生长的形貌，有效的保证锂在内凹部内均匀的生长，使负极电极的界面稳定性得到保障，延长无负极电池的循环寿命。
本发明授权定向结构无负极电极及其制备方法、电化学装置在权利要求书中公布了：1.一种定向结构无负极电极，其特征在于，包括： 集流体1，所述集流体为铜集流体； 至少覆盖所述集流体1一侧表面的复合界面层2； 所述复合界面层2包括：含锂无机物界面层201，至少设置于所述集流体1的一侧表面，所述含锂无机物界面层的厚度为1nm～100nm，所述含锂无机物界面层包括氟化锂、氧化锂、氮化锂、碳酸锂、硝酸锂中的一种或多种含锂无机材料；有机物界面层202，设置于所述含锂无机物界面层201背离所述集流体1的一侧，所述有机物界面层202分散或连续设置多个内凹部2021，所述内凹部2021自所述有机物界面层202背离所述含锂无机物界面层201的表面延伸至所述含锂无机物界面层201，所述有机物界面层的厚度为400nm～1000nm，所述有机物界面层的材料选自聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯-六氟丙烯、聚环氧乙烷、聚丙烯腈或其组合。
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