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龙图腾网获悉玄武石半导体(武汉)有限公司申请的专利一种高压LDO过冲保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118889328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410940954.4，技术领域涉及：H02H3/20；该发明授权一种高压LDO过冲保护电路是由杨晨;王春来设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压LDO过冲保护电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种高压LDO过冲保护电路。包括电阻R1，用于限制支路电流，电阻R2、电容C1，用于过滤输出V电压纹波，电容C2，用于稳定IPD节点的电压，二极管D1，用于保护MN4栅极防止其击穿，MOS管MN1、MOS管MP1构成过冲检测电路，检测到过冲电压时，MOS管导通，MOS管MN2、MOS管MN3构成N型电流镜开始工作，将左侧电流复制到右侧电路，高压MOS管MN4为耐高压器件，起耐压作用，MOS管MP2、MOS管MP3、MOS管MP4构成P型电流镜，在右侧电路导通后，复制右侧电路电流，对PGATE1、PGATE2节点电压进行上拉，关闭LDO的功率管，从而达到过冲保护的效果，提高电路的安全性和鲁棒性。

本发明授权一种高压LDO过冲保护电路在权利要求书中公布了：1.一种高压LDO过冲保护电路，其特征是，包括： 第一电阻R1、第二电阻R2，第一电容C1、第二电容C2，二极管D1，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4，第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、端口VLDO、端口V、端口IPD、端口G、端口PGATE1、端口PGATE2、端口HV； 所述端口VLDO与所述第一电阻R1相接，所述第一电阻R1与所述第一PMOS管MP1的源极、所述二极管D1的负端、第四NMOS管MN4的栅极相连； 所述端口V与第二电阻R2相连，所述第二电阻R2与所述第一PMOS管MP1的栅极、第一电容C1相连，所述第一NMOS管MN1的栅极与所述端口V相连，所述第一PMOS管MP1的漏极与所述第一NMOS管MN1的漏极相连； 所述端口IPD与第一NMOS管MN1的源极、第二电容C2、二极管D1的正端、所述第二NMOS管MN2的漏极、所述第二NMOS管MN2的栅极、所述第三NMOS管MN3的栅极相连； 所述端口G与所述第一电容C1、所述第二电容C2、所述第二NMOS管MN2的源极、所述第三NMOS管MN3的源极相连； 所述第三NMOS管MN3的漏极与所述第四NMOS管MN4的源极相连，所述第四NMOS管MN4的漏极与所述第二PMOS管MP2的漏极、所述第二PMOS管MP2的栅极、所述第三PMOS管MP3的栅极、所述第四PMOS管MP4的栅极相连； 所述端口PGATE1与所述第三PMOS管MP3的漏极相连，所述端口PGATE2与第四PMOS管MP4的漏极相连； 所述端口HV与所述第二PMOS管MP2的源极、所述第三PMOS管MP3的源极、所述第四PMOS管MP4的源极相连； 所述端口VLDO为输入信号端口，用于接收LDO输出的电压信号； 所述端口V为电源信号端口，用于提供5V低电压； 所述端口IPD为输入信号端口，用于提供下拉电流； 所述端口G为电源信号端口，用于提供0V地电位； 所述端口HV为电源信号端口，用于提供25V高电压； 所述端口PGATE1、所述端口PGATE2为输出信号端口，用于输出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人玄武石半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武昌区中南路街道武珞路628号亚贸广场A座17层1-9号手拍手孵化器F116号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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