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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利电容器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310710771.9，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权电容器件及其形成方法是由金吉松;张宏设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种电容器件及其形成方法，其中结构包括：位于衬底上的金属层结构，金属层结构包括层叠设置的若干第一电极层、位于相邻两层第一电极层之间的第二电极层、以及位于相邻的第一电极层和第二电极层之间的第一介质层，各第一电极层位于第二区上且延伸至第一区，各第二电极层位于第二区上且延伸至第三区；位于第一区上的第一导电插塞，第一导电插塞包括第一部和位于第一部上的第二部，第一部沿衬底表面法线方向贯穿各第一电极层，且连接各第一电极层，第一部侧壁与衬底表面法线方向具有第一夹角，第二部侧壁与衬底表面法线方向具有第二夹角，第一夹角大于第二夹角，利于降低第一导电插塞和各第一电极层之间的接触电阻，利于提高电容器件的性能。

本发明授权电容器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间； 位于所述衬底上的金属层结构，所述金属层结构包括层叠设置的若干第一电极层、位于相邻两层所述第一电极层之间的第二电极层、以及位于相邻的所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一介质层，各所述第一电极层位于所述第二区上且延伸至所述第一区，各所述第二电极层位于所述第二区上且延伸至所述第三区； 位于所述第一区上的第一导电插塞，所述第一导电插塞包括第一部和位于所述第一部上的第二部，所述第一部沿所述衬底表面法线方向贯穿各所述第一电极层，且连接各所述第一电极层，所述第一部侧壁与所述衬底表面法线方向具有第一夹角，所述第二部侧壁与所述衬底表面法线方向具有第二夹角，所述第一夹角大于所述第二夹角； 位于所述第三区上的第二导电插塞，所述第二导电插塞包括第三部和位于所述第三部上的第四部，所述第三部沿所述衬底表面法线方向贯穿各所述第二电极层，且连接各所述第二电极层，所述第三部侧壁与所述衬底表面法线方向具有第三夹角，所述第四部侧壁与所述衬底表面法线方向具有第四夹角，所述第三夹角大于所述第四夹角； 其中，所述金属层结构的层数为单数，且位于最下层的为第一电极层，所述电容器件还包括：位于所述第三区上的最上层的所述第二电极层上的虚设电极层，所述虚设电极层与所述第一电极层相互分立； 或者，所述金属层结构的层数为单数，且位于最下层的为第二电极层，所述电容器件还包括：位于所述第一区上最上层的所述第一电极层上的虚设电极层，所述虚设电极层与所述第二电极层相互分立。

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