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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411279966.3，技术领域涉及：G02B1/115；该发明授权单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法是由蔡宇轩;刘克武;王振;李满仕;尹士平设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法在说明书摘要公布了：提供一种单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法。单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的设计方法包括：选定4μm作为光学薄膜设计14波长膜厚的参考波长，使用膜堆公式：Sub0.03Q0.3H0.4LHL0.15HAIR，Sub为单晶氟化钙基底，AIR代表空气，H代表14波长厚度的ZnS，L代表14波长厚度的YF3；Q代表14波长厚度的Y2O3；软件对膜厚优化，得到最佳的膜厚，优化后的单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm波段的透过率符合要求；将优化后的膜厚输入镀膜机的控制电脑。单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的制备方法包括：S1，镀前清洁及膜料准备；S2，膜系工艺参数配置；S3，抽真空烘烤以及膜料预熔恒温；S4，离子源清洗；S5，膜层镀制及监控；S6，镀后恒温保持；S7，降温取件；S8，重复步骤S1至步骤S7，第二面镀制。

本发明授权单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法，其特征在于，包括步骤： Sa，选定4μm作为光学薄膜设计14波长膜厚的参考波长，使用膜堆公式： Sub0.03Q0.3H0.4LHL0.15HAIR， 其中，Sub为单晶氟化钙基底，AIR代表空气，H代表14波长厚度的高折射率材料ZnS硫化锌，L代表14波长厚度的低折射率材料YF3氟化钇；Q代表14波长厚度的膜层打底材料Y2O3氧化钇； Sb，通过设计软件对膜层膜厚进行计算优化，得到最佳的膜层的膜厚，优化后的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm波段的透过率符合要求； Sc，将优化后的膜层的膜厚输入至镀膜机的控制电脑中； 在步骤Sb中，针对单晶氟化钙基底的两面中的每一面，最佳的膜层的膜厚为： 第一层Y2O3膜层的膜厚为15±3nm， 第二层ZnS膜层的膜厚为144.89±3nm， 第三层YF3膜层的膜厚为268.44±3nm， 第四层ZnS膜层的膜厚为500.47±3nm， 第五层YF3膜层的膜厚为671.43±3nm， 第六层ZnS膜层的膜厚为65±5nm； 在步骤Sb中，优化后的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm波段的透过率平均大于99.5％。

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