中芯集成电路(宁波)有限公司丁本利获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利用于检测金属键合强度的半导体结构和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119306177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411419822.3，技术领域涉及：B81C99/00；该发明授权用于检测金属键合强度的半导体结构和测试方法是由丁本利;徐日;朱丰;石丹丹;杨国煌设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于检测金属键合强度的半导体结构和测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于检测金属键合强度的半导体结构和测试方法，半导体结构包括：第一基底；位于第一基底上的第一介质层和位于第一介质层上的两个第一金属键合层；第二基底；位于第二基底的第一表面的第二金属键合层，第一基底和第二基底通过第一金属键合层和第二金属键合层相接合；第一测试端和第二测试端；位于第一介质层中的第一金属互连结构和第二金属互连结构，第一测试端和第二测试端分别通过第一金属互连结构和第二金属互连结构和两个第一金属键合层电连接；导电层；导电层通过第一金属互连结构或第二金属互连结构与测试端电连接。本发明能够对第一金属键合层和第二金属键合层的键合程度实现快速、准确、无损的实时监控。
本发明授权用于检测金属键合强度的半导体结构和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种用于检测金属键合强度的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 第一基底； 位于所述第一基底上的第一介质层和位于所述第一介质层上的两个间隔设置的第一金属键合层； 第二基底； 位于所述第二基底的第一表面上，且与所述第一金属键合层对应设置的第二金属键合层，所述第一基底和所述第二基底通过所述第一金属键合层和所述第二金属键合层相接合； 第一测试端和第二测试端； 位于所述第一介质层中的第一金属互连结构和第二金属互连结构，所述第一测试端通过所述第一金属互连结构与其中一个所述第一金属键合层电连接，所述第二测试端通过所述第二金属互连结构与另一个所述第一金属键合层电连接； 与所述第二基底相对应、且设置于所述第一介质层上的导电层；所述导电层通过所述第一金属互连结构或第二金属互连结构与所述第一测试端或所述第二测试端电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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