北京航空航天大学蔡文龙获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利磁记录设备及磁存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119380772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411455222.2，技术领域涉及：G11C11/15；该发明授权磁记录设备及磁存储器是由蔡文龙;张学莹;魏家琦;赵巍胜设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁记录设备及磁存储器在说明书摘要公布了：本申请涉及磁存储技术领域，公开一种磁记录设备，包括衬底和带状信息存储层。衬底包括由柔性材料制成的基底，带状信息存储层包括多个由铁磁材料构成的铁磁层和多个由非磁性材料构成的间隔层，间隔层位于铁磁层之间，铁磁层和间隔层交替堆叠于衬底上。由于各铁磁层的磁化方向可通过写入改变，因此，通过调节磁场写头的能量辅助装置的能量等级，翻转对应层数的铁磁层的磁化方向，能够改变带状信息存储层中铁磁层的不同磁化方向的比例，以表示不同的数据存储状态，从而实现多态存储，提高了存储密度，提高了数据存储容量的上限。本申请还公开一种磁存储器。
本发明授权磁记录设备及磁存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁记录设备，其特征在于，包括： 衬底，包括由柔性材料制成的基底； 带状信息存储层，包括多个由铁磁材料构成的铁磁层和多个由非磁性材料构成的间隔层；其中，间隔层位于铁磁层之间，铁磁层和间隔层交替堆叠于衬底上； 衬底，还包括： 至少一层涂层，设置于基底的下表面； 带状信息存储层，包括： 多个存储单元，每个存储单元为设定长度的带状信息存储层； 其中，每个存储单元通过各自对应的铁磁层的磁化方向的分布比例表示对应的数据存储状态； 还包括： 磁场写头，包括磁场发生装置和能量辅助装置，磁场发生装置用于在带状信息存储层的第一区域内产生垂直或者面内磁场，能量辅助装置用于降低带状信息存储层的第二区域内磁矩的矫顽场的磁场强度；其中，第一区域包括第二区域； 还包括： 控制器，被配置为当通过磁场写头向带状信息存储层进行多态写入时，根据待写入数据，调节能量辅助装置的能量等级，以翻转目标层数的铁磁层的磁化方向。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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