联华电子股份有限公司陈柏霖获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利静态随机存取存储器的布局图案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311074096.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器的布局图案是由陈柏霖;吴宗训;邱亮维;郑跃晴设计研发完成，并于2023-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器的布局图案在说明书摘要公布了：本发明公开一种静态随机存取存储器staticrandom‑accessmemory，SRAM的布局图案，包含一基底，多个扩散区与多个栅极结构位于基底上，各扩散区包含有一第一扩散区、一第二扩散区、一第三扩散区、一第四扩散区、一第五扩散区、一第六扩散区、一第七扩散区以及一第八扩散区，各栅极结构横跨多个扩散区以组成多个晶体管。多个栅极中包含有一第一栅极，其中第一栅极包含有一第一L型部分，第一L型部分跨越第一扩散区以及第五扩散区并构成一第一下拉晶体管PD1，其中第一扩散区与第五扩散区相邻并直接接触。
本发明授权静态随机存取存储器的布局图案在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器staticrandom-accessmemory，SRAM的布局图案，包含： 基底； 多个扩散区位于该基底上，各该扩散区包含有第一扩散区、第二扩散区、第三扩散区、第四扩散区、第五扩散区、第六扩散区、第七扩散区以及第八扩散区，各该扩散区沿着第一方向Y方向排列； 多个栅极结构位于该基底上，各栅极结构沿着第二方向X方向延伸，并且横跨该多个扩散区以组成多个晶体管，其中该多个晶体管包含有第一上拉晶体管PU1、第一下拉晶体管PD1、第二上拉晶体管PU2、第二下拉晶体管PD2、第一存取晶体管PG1以及第二存取晶体管PG2； 其中，该多个栅极中包含有第一栅极，其中该第一栅极包含有第一L型部分，该第一L型部分跨越该第一扩散区以及该第五扩散区并构成该第一下拉晶体管PD1，其中该第一扩散区与该第五扩散区相邻并直接接触， 其中，该第一栅极包含有第二L型部分，该第二L型部分跨越该第二扩散区以及该第六扩散区并构成该第一上拉晶体管PU1，其中该第二扩散区与该第六扩散区相邻并直接接触。
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