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龙图腾网获悉江苏润达新能源科技有限公司申请的专利一种Topcon电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411519295.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种Topcon电池结构及其制备方法是由王科;李永仓;王璐;杨健;严冬设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Topcon电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Topcon电池结构及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，包括半导体基底，半导体基底的一面设置第二导电类型半导体区域，第二导电类型半导体区域远离半导体基底一侧设置第二钝化层A，第二钝化层A远离第二导电类型半导体区域一侧设置第二钝化层B，半导体基底远离第二导电类型半导体区域一面设置超薄非晶硅层，超薄非晶硅层远离半导体基底一侧设置隧穿层，隧穿层远离超薄非晶硅层一侧设置第一导电类型半导体区域，第一导电类型半导体区域远离隧穿层一侧设置第一钝化层。本发明中，通过设置超薄非晶硅层，能够缓解半导体基底和隧穿层之间的晶格失配问题，减少界面缺陷的产生，从而提高Topcon电池的性能及可靠性。

本发明授权一种Topcon电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Topcon电池结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：准备一经历了制绒、硼扩、刻蚀工艺后的单面抛光片作为半导体基底； 步骤2：将半导体基底放入反应室内； 步骤3：向反应室内通入含有硅源气体、载气，制备超薄非晶硅层； 步骤4：在超薄非晶硅层远离半导体基底一侧制备隧穿层； 步骤5：在隧穿层远离超薄非晶硅层一侧制备第一导电类型半导体区域； 步骤6：在第一导电类型半导体区域远离隧穿层一侧制备第一钝化层，然后制作第一电极，第一电极穿过第一钝化层，与第一导电类型半导体区域接触； 步骤7：在半导体基底远离第一导电类型半导体区域一面制备第二导电类型半导体区域； 步骤8：在第二导电类型半导体区域远离半导体基底一侧制备第二钝化层A； 步骤9：制备第二钝化层B与第二电极，第二电极穿过第二钝化层B、第二钝化层A与第二导电类型半导体区域接触； 在步骤3中，通过通气设备向反应室内通入含有硅源气体、载气，通气设备包括进气箱与注气管，进气箱通过出气管与注气管连通，注气管输出端设置注入管，注入管一端延伸至反应室内； 进气箱内设置进气组件，进气组件包括驱动电机，驱动电机设置在进气箱中心位置，驱动电机与进气箱内壁连接，驱动电机输出端设置转动盘，转动盘前方设置滑动框架，滑动框架左右两侧与进气箱内壁上下滑动连接，滑动框架内设置滑动柱，滑动柱与滑动框架内壁滑动连接，滑动柱一端与转动盘偏心位置转动连接，滑动框架上下两侧对称设置驱动杆，驱动杆远离滑动框架一端设置活塞块，活塞块远离驱动电机一侧设置进气腔，进气箱外部设置与进气腔连通的第一进气管与第二进气管，第一进气管与第二进气管内均设置第一单向阀与流量控制阀，出气管一端与进气腔连通，出气管内设置第二单向阀，活塞块远离驱动电机一侧设置转动轴，转动轴与活塞块转动连接，转动轴上设置叶片，转动轴侧壁转动设置转动柱，转动柱垂直于转动轴，转动柱与转动轴侧壁转动连接，进气箱内壁设置螺旋导向槽，转动柱远离转动轴一端延伸至螺旋导向槽内并与螺旋导向槽内壁滑动连接； Topcon电池结构包括：半导体基底，半导体基底的一面设置第二导电类型半导体区域，第二导电类型半导体区域远离半导体基底一侧设置第二钝化层A，第二钝化层A远离第二导电类型半导体区域一侧设置第二钝化层B，半导体基底远离第二导电类型半导体区域一面设置超薄非晶硅层，超薄非晶硅层远离半导体基底一侧设置隧穿层，隧穿层远离超薄非晶硅层一侧设置第一导电类型半导体区域，第一导电类型半导体区域远离隧穿层一侧设置第一钝化层。

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