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龙图腾网获悉西安天交新能源有限公司申请的专利一种钙钛矿梯度带隙薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410292858.3，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权一种钙钛矿梯度带隙薄膜及其制备方法和应用是由李培舟;赵长征;韩伟设计研发完成，并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿梯度带隙薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种钙钛矿梯度带隙薄膜及其制备方法和应用。通过采用宽带隙钙钛矿层和窄带隙钙钛矿层堆叠制备不同带隙范围的钙钛矿梯度带隙薄膜，使其带隙范围为1.35eV～2.3eV，从而匹配多场景应用；并根据灯源的光谱变化范围，灵活调控匹配带隙的钙钛矿多晶薄膜叠加结构，进而实现最优的环境光利用效率，实现不同应用场景光谱的高效利用。并采用逐层顺序沉积法制备的钙钛矿梯度带隙薄膜结晶度高、均匀性好。通过精准调控蒸镀的卤化铅和有机盐的厚度比、退火的温度和时间，制备出具有梯度带隙的多层高质量钙钛矿薄膜叠加结构。

本发明授权一种钙钛矿梯度带隙薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿梯度带隙薄膜，其特征在于，由至少一层宽带隙钙钛矿层和至少一层窄带隙钙钛矿层堆叠形成； 所述宽带隙钙钛矿层的材料为MA1-x1FAx1PbI1-y1-y2Bry1Cly23，其中：x1的范围为0≤x1≤1；y1的范围为0≤y1≤1；y2的范围为0≤y2≤1；y1和y2不同时为0；所述宽带隙钙钛矿层的禁带宽度Eg1的范围为1.6eV＜Eg1≤2.3eV； 所述窄带隙钙钛矿层的材料为MA1-x2FAx2PbzSn1-zI3，其中：x2的范围为0≤x2≤1；Z的范围为0≤z≤1；所述窄带隙钙钛矿层的禁带宽度Eg2的范围为1.35eV＜Eg2≤1.6eV； 所述宽带隙钙钛矿层通过分别蒸镀卤化铅A1和有机盐A2，并经退火处理后制备得到；所述窄带隙钙钛矿层通过分别蒸镀卤化铅B1和有机盐B2，并经退火处理后制备得到； 所述卤化铅B1和所述卤化铅A1的蒸镀电流均为1.8~2.0A，蒸镀速率均为2~6ÅS；所述有机盐B2和所述有机盐A2的蒸镀电流均为0.8~1.0A，蒸镀速率均为2~3ÅS。

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