中国科学院微电子研究所郑旭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种电容式薄膜压力传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119533747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411518682.5,技术领域涉及:G01L7/08;该发明授权一种电容式薄膜压力传感器是由郑旭;张心强;林琳;孙小孟;苏涛;徐亚辉;刘瑞琪;郜晨希;张沙;李超波设计研发完成,并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容式薄膜压力传感器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种电容式薄膜压力传感器,属于传感器技术领域,包括膜片组件,膜片组件包括应变薄膜、第一环状件和第二环状件,应变薄膜平整地内嵌在第一环状件和第二环状件之间,应变薄膜的外边缘位于第一环状件和第二环状件的投影区域内。本发明通过由两个环状件压合应变薄膜形成的膜片组件,应变薄膜通过陶瓷环状件与外壳相连接,并将应变薄膜的信号引出,将应变薄膜与金属外壳以及其他金属部件隔离,避免了应变薄膜直接嵌入外壳引入噪声和寄生电容的情况,同时提高了真空压力检测腔密封性,大大提高了传感器的测量精度。
本发明授权一种电容式薄膜压力传感器在权利要求书中公布了:1.一种电容式薄膜压力传感器,其特征在于,包括膜片组件1,所述膜片组件1包括应变薄膜11、第一环状件12和第二环状件13,所述应变薄膜11平整地内嵌在所述第一环状件12和所述第二环状件13之间,所述应变薄膜11的外边缘位于所述第一环状件12和所述第二环状件13的投影区域内; 所述膜片组件1由应变薄膜11、第一环状件12和第二环状件13烧结形成,所述第一环状件12和所述第二环状件13均包括陶瓷材料,所述电容式薄膜压力传感器还包括外壳6,所述膜片组件1设置在所述外壳6的内腔; 所述第一环状件12和所述第二环状件13通过低温烧结的方式烧结形成的陶瓷圆环表面光滑,金属的所述应变薄膜11夹持在两个陶瓷圆环之间通过高温烧结固化; 所述第一环状件12上开设有第一导电孔121,所述第一导电孔121位于所述应变薄膜11的边缘投影区域内,第一导电孔121内设有导电层,用于将所述应变薄膜11的信号引出进行无线传输; 所述电容式薄膜压力传感器还包括固定电极2,所述固定电极2包括陶瓷基底21,所述陶瓷基底21朝向所述膜片组件1的第一面设有导电涂层22,所述陶瓷基底21背离所述膜片组件1的第二面设有电路板23,所述陶瓷基底21上开设有与所述第一导电孔121相连通的第二导电孔211; 所述电容式薄膜压力传感器还包括导电件3,所述导电件3穿设于所述第一导电孔121和所述第二导电孔211,所述导电件3的第一端与所述应变薄膜11电连接,所述导电件3的第二端与所述电路板23电连接; 所述导电件3与所述固定电极2相连接,所述导电件3与所述膜片组件1相连接; 其中,所述导电件3的长度可调,或,所述导电件3与所述固定电极2和或所述膜片组件1的连接位置可调,用于调节所述固定电极2和所述应变薄膜11之间的高度差。
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