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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有气隙的半导体元件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410485136.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有气隙的半导体元件结构是由黄至伟设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有气隙的半导体元件结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件结构，包括一第一鳍结构、一第一源极漏极结构、一第二源极漏极结构、一第三源极漏极结构、一第一字元线以及一第二字元线。该第一鳍结构设置在一半导体基底之上，并包括一第一通道区、一第二通道区以及一其他区。该第一源极漏极结构、该第二源极漏极结构以及该第三源极漏极结构设置在该第一鳍结构上方。该第一字元线设置在该第一源极漏极结构与该第二源极漏极结构之间，并且从该半导体元件结构的一顶视图来看跨经该第一鳍结构的该第一通道区。该第二字元线设置在该第二源极漏极结构与该第三源极漏极结构之间，并且从该顶视图来看跨经该第一鳍结构的该第二通道区。该第一通道区的一宽度等于该第二通道区的一宽度，且该第一通道区的该宽度小于该第一鳍结构的该其他区的一宽度。

本发明授权具有气隙的半导体元件结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一第一鳍结构，结构设置在一半导体基底之上，并包括一第一通道区、一第二通道区以及一其他区； 一第一源极漏极结构； 一第二源极漏极结构； 一第三源极漏极结构，其中该第一源极漏极结构、该第二源极漏极结构以及该第三源极漏极结构设置在该第一鳍结构上方； 一第一位元线接触点，设置在该第二源极漏极结构上方，并包括： 一第一阻障层，与该第二源极漏极结构接触；以及 一第一导电层，设置在该第一阻障层上方； 一第一字元线，设置在该第一源极漏极结构与该第二源极漏极结构之间，并且从该半导体元件结构的一顶视图来看跨经该第一鳍结构的该第一通道区；以及 一第二字元线，设置在该第二源极漏极结构与该第三源极漏极结构之间，并且从该顶视图来看跨经该第一鳍结构的该第二通道区， 其中被该第一字元线覆盖的该第一通道区的一整体宽度等于被该第二字元线覆盖的该第二通道区的一整体宽度，且被该第一字元线覆盖的该第一通道区的该整体宽度小于该第一鳍结构的该其他区的一整体宽度， 其中从该顶视图来看，该第一通道区及该第二通道区相对于该第一位元线接触点为对称安置。

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