北京航空航天大学吕纲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种氮化镓器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411623085.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种氮化镓器件结构及其制备方法是由吕纲;丁晓峰;李林;彭律章;许童童;程若昀设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种氮化镓器件结构及其制备方法，该方法首先提供氮化镓器件，氮化镓器件包括依次层叠的衬底、外延结构，然后再对氮化镓器件的进行预设剂量和预设能量的辐照处理，通过辐照处理在外延结构中引入缺陷，实现对外延结构的内部陷阱效应的调制处理，进而实现对氮化镓器件的电学性能的调制，提高了氮化镓器件在高压、高频领域应用的可靠性和稳定性。
本发明授权一种氮化镓器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供氮化镓器件，所述氮化镓器件包括依次层叠的衬底和外延结构； 将所述氮化镓器件放置在辐照平台上，并利用辐照处理系统对氮化镓器件进行预设剂量和预设能量的辐照处理，以在所述外延结构中引入缺陷而对所述外延结构的陷阱效应进行调制； 其中，当所述氮化镓器件为平面型氮化镓器件时，所述外延结构包括碳故意掺杂氮化镓和非故意掺杂氮化镓依次层叠组成的缓冲层和沟道层，所述辐照处理包括质子辐照处理和紫外光辐照的组合处理，以使所述缓冲层的内部陷阱对载流子的捕获率小于释放率； 所述质子辐照处理与紫外光辐照处理的组合处理的步骤，包括： 通过所述辐照处理系统对所述外延结构进行所述质子辐照处理，利用所述质子辐照的位移效应在所述沟道层中引入缺陷； 通过所述辐照处理系统对所述外延结构进行所述紫外线辐照处理，利用所述紫外线辐照对所述外延结构的表面缺陷进行修复，并为所述缓冲层的内部陷阱对载流子释放提供能量。
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