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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种光反射器件制备方法及光反射器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411854632.4，技术领域涉及：G02B26/08；该发明授权一种光反射器件制备方法及光反射器件是由翟凡均;张晓伟;唐杨;汪元杰;解婧;李超波设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光反射器件制备方法及光反射器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光反射器件制备方法及光反射器件，涉及半导体技术领域，该制备方法包括：提供具有控制电路的基底，图案化第一金属层形成金属互连层，图案化第二金属层形成光反射阵列，金属互连层与控制电路电连接，且还与光反射阵列的至少一个光反射结构电连接。该制备方法在基底上依次沉积第一金属层和第二金属层，并进行图案化，就可以得到金属互连层和光反射阵列，从而基于该制备方法采用MEMS技术就可以完成光反射器件的制备，工艺简单且成本低，可以保证器件的可靠性。并且金属互连层和光反射阵列的图案化互不影响，可以实现光反射结构的多样化，同时光反射阵列的光反射结构的数量不受限制，且可以做到尺寸很小，降低光反射器件的体积。

本发明授权一种光反射器件制备方法及光反射器件在权利要求书中公布了：1.一种光反射器件制备方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底中具有控制电路，所述控制电路为CMOS控制电路； 沉积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成金属互连层，所述金属互连层位于所述基底表面，且所述金属互连层与所述控制电路电连接； 沉积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成光反射阵列，所述光反射阵列位于所述金属互连层背离所述基底的一侧；所述光反射阵列包括多个光反射结构，所述金属互连层还与所述光反射结构电连接，以使所述控制电路通过所述金属互连层控制所述光反射阵列中的至少一个所述光反射结构； 所述金属互连层包括第一金属互连层和第二金属互连层，所述第二金属互连层位于所述第一金属互连层与所述光反射阵列之间，所述第一金属互连层与所述控制电路电连接，所述第二金属互连层与所述第一金属互连层电连接，且所述第二金属互连层还与所述光反射结构电连接；形成金属互连层包括：在所述基底表面沉积第一隔离层，所述第一隔离层具有第一通孔，所述第一通孔裸露所述控制电路；在所述第一隔离层背离所述基底一侧沉积第一子金属层，图案化所述第一子金属层，以形成所述第一金属互连层，所述第一金属互连层具有第一预设图形，覆盖所述第一隔离层，且填充所述第一通孔；在所述第一金属互连层背离所述基底一侧沉积第二隔离层，所述第二隔离层具有第二通孔，所述第二通孔裸露部分所述第一金属互连层；在所述第二隔离层背离所述基底一侧沉积第二子金属层，图案化所述第二子金属层，以形成所述第二金属互连层，所述第二金属互连层具有第二预设图形，覆盖所述第二隔离层，且填充所述第二通孔； 所述光反射结构包括位于所述第二金属互连层背离所述基底一侧的电极层和支撑底座，所述电极层与所述第二金属互连层电连接，所述支撑底座也与所述第二金属互连层电连接，所述光反射结构的光反射面连接于所述支撑底座背离所述基底的一侧； 所述光反射器件工作时，所述控制电路通过所述金属互连层向所述光反射阵列的所述电极层下发第一控制信号，控制所述光反射阵列中的至少一个所述光反射结构发生第一偏转，或，所述控制电路通过所述金属互连层向所述光反射阵列的所述电极层下发第二控制信号，控制所述光反射阵列中的至少一个所述光反射结构发生第二偏转； 其中，所述第一偏转为所述光反射面的第一侧沿第一方向偏转，所述第二偏转为所述光反射面的第二侧沿所述第一方向偏转，所述第一侧和所述第二侧为所述光反射面的不同侧，所述第一方向为所述光反射面指向所述基底的方向。

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