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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利硫系玻璃基底红外短中波1.5-5μm耐久性增透薄膜的设计方法以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411673654.0，技术领域涉及：G02B1/115；该发明授权硫系玻璃基底红外短中波1.5-5μm耐久性增透薄膜的设计方法以及制备方法是由蔡宇轩;王振;刘克武;戴亚洲;杨双喜;尹士平设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本硫系玻璃基底红外短中波1.5-5μm耐久性增透薄膜的设计方法以及制备方法在说明书摘要公布了：提供一种硫系玻璃基底红外短中波1.5‑5μm耐久性增透薄膜的设计方法以及制备方法。硫系玻璃基底红外短中波1.5‑5μm耐久性增透薄膜的设计方法包括步骤：Sa，选定3μm作为光学薄膜设计14波长厚度的参考波长，使用膜堆表达式：Sub0.1W0.1L0.5H0.3L0.5M1L0.2WAIR，Sub两面镀一样的膜系，其中，Sub为硫系玻璃基底，AIR代表空气，H代表Si，L代表YbF3，M代表ZnS，W代表Al2O3；Sb，通过膜堆表达式，生成SubAl2O3YbF3SiYbF3ZnSYbF3Al2O3Air的膜层结构；Sc，通过设计软件对膜层膜厚计算优化，得最佳的膜层的膜厚，优化后的硫系玻璃基底红外短中波1.5‑5μm波段的透过率符合要求；Sd，将优化后的膜层的膜厚输入至镀膜机中。

本发明授权硫系玻璃基底红外短中波1.5-5μm耐久性增透薄膜的设计方法以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硫系玻璃基底红外短中波1.5-5μm耐久性增透薄膜的设计方法，其特征在于，包括步骤： Sa，选定3μm作为光学薄膜设计14波长厚度的参考波长，使用膜堆表达式：Sub0.1W0.1L0.5H0.3L0.5M1L0.2WAIR，Sub两面镀一样的膜系， 其中，Sub为硫系玻璃基底，AIR代表空气，H代表14波长厚度的高折射率材料Si硅，L代表14波长厚度的低折射率材料YbF3氟化镱，M代表14波长厚度的中间折射率材料ZnS硫化锌，W代表14波长厚度的打底层材料及最外层保护性材料Al2O3氧化铝； Sb，通过输入的膜堆表达式，生成SubAl2O3YbF3SiYbF3ZnSYbF3Al2O3Air的膜层结构； Sc，通过设计软件对膜层膜厚进行计算优化，得到最佳的膜层的膜厚，优化后的硫系玻璃基底红外短中波1.5-5μm波段的透过率符合要求； Sd，将优化后的膜层的膜厚输入至镀膜机的控制电脑中； 在步骤Sa中，硫系玻璃基底为VIG04或VIG06； 在步骤Sc中，针对硫系玻璃基底的两面中的每一面，最佳的膜层的膜厚为： 第一层Al2O3膜层的膜厚为20±3nm， 第二层YbF3膜层的膜厚为35.81±3nm， 第三层Si膜层的膜厚为96.70±3nm， 第四层YbF3膜层的膜厚为116.78±3nm， 第五层ZnS膜层的膜厚为103.45±3nm， 第六层YbF3膜层的膜厚为357.25±3nm， 第七层Al2O3膜层的膜厚为40±3nm， 在步骤Sc中，硫系玻璃基底红外短中波1.5-5μm波段的透过率平均大于95％。

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