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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种微米级量子点发光二极管阵列器件的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411799243.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种微米级量子点发光二极管阵列器件的制备方法及应用是由金一政;王晨扬;刘杨;何思雨;孙颖设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微米级量子点发光二极管阵列器件的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微米级量子点发光二极管阵列器件的制备方法及应用，该方法是通过在氧化铟锡衬底上依次形成空穴注入层、空穴传输层、图案化绝缘层、量子点发光层、电子传输层和顶部电极，利用光刻胶制备图案化绝缘层，旋涂量子点以构成阵列发光层的工艺路线，通过光刻胶抑制像素间隙处产生的电子泄露，实现高分辨率的同时实现了创纪录的Micro‑QLED阵列器件性能；并采用新型交联型空穴传输层PF8Cz‑X验证与解决光刻胶中存在的光酸产生剂成分生成强氧化性光酸，通过自由基配位结合的方式反应损坏QLED器件中三苯胺结构空穴传输层的问题，并通过设计热交联基团避免微纳加工工艺中显影液的物理溶解，构建兼容溶液加工工艺，对Micro‑QLED阵列器件无损的光刻体系。

本发明授权一种微米级量子点发光二极管阵列器件的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种微米级量子点发光二极管阵列器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在透明导电衬底，即氧化铟锡ITO玻璃基底上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、图案化绝缘层、量子点发光层、电子传输层、金属电极；所述图案化绝缘层厚度为20nm至100nm，并通过在图案化绝缘层之上旋涂量子点以形成阵列化发光层；所述空穴传输层为能够避免光刻过程中光刻胶自由基反应及显影步骤物理性溶解的新型交联型聚9,9-二辛基芴基-2,7-二基-alt-9-2-乙基己基-咔唑-3,6-二基； 所述阵列化发光层的形成是通过以下步骤来完成的： 2.1在所述空穴传输层之上形成厚度小于100nm的绝缘光刻胶层； 2.2采用光刻、电子束直写或者激光直写方式，对所述绝缘光刻胶层进行微纳尺寸图形化加工； 2.3采用旋涂或喷墨打印方式在微纳尺寸图形化加工后的所述绝缘光刻胶层中形成沉积微纳米级量子点发光阵列。

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