南京工业大学杨阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种缺陷层修饰的TiO2纳米线阵列光阳极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411968760.1，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种缺陷层修饰的TiO2纳米线阵列光阳极及其制备方法是由杨阳;王沿;束海波;郭菲菲设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缺陷层修饰的TiO2纳米线阵列光阳极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种缺陷层修饰的TiO2纳米线阵列光阳极及其制备方法，属于光电化学技术领域。本申请采用磁控溅射的方式在基底上生长的TiO2NWAs表面沉积Ti薄膜，再在N2氛围下进行退火处理，退火时Ti能够夺取TiO2晶格中的O原子，在表面形成含氧空位的TiO2缺陷层，帮助获得更低的费米能级，与主体TiO2纳米线形成同质结时，费米能级趋向于平衡，从而产生内建电场，促进光生载流子的迁移，增强光的利用率；本申请还通过进一步调控Ti膜沉积时间和退火温度等条件对表面缺陷态浓度进行调控，使制备的光阳极具有更好的PEC性能；本申请为调控TiO2的光电催化性能提供了有效的手段，也为相关应用提供了理论基础。
本发明授权一种缺陷层修饰的TiO2纳米线阵列光阳极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.缺陷层修饰的TiO2纳米线阵列光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将钛源加入酸溶液中，混合后得前驱体溶液； 2预处理基底； 3将基底导电面朝下斜置在反应釜内衬中，加入前驱体溶液后，密封反应釜，进行加热反应，反应结束，清洗样品、烘干以在基底表面生长TiO2NWAs； 4采用磁控溅射的方法在TiO2NWAs表面沉积Ti薄膜，所得样品记为TiO2@Ti； 5退火处理TiO2@Ti材料，得终产品； 步骤3中，烘干样品后在马弗炉中进行退火处理以提高基底表面纳米线的结晶度，退火温度为450~550℃、退火时间为0.5~3h； 步骤5中，退火在氮气气氛中进行，退火温度为250~450℃、退火时间为0.5~3h。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京工业大学，其通讯地址为：211816 江苏省南京市江北新区浦珠南路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励