浙江晶科能源有限公司金井升获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池、其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411834635.1，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权太阳能电池、其制备方法和光伏组件是由金井升;陈雨倩;张昕宇设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池、其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种太阳能电池、其制备方法和光伏组件，该太阳能电池包括N型基底、P型发射极层、第一钝化层、阻挡层、多个第一电极、隧穿介质层、掺杂导电层、第二钝化层和多个第二电极，其中N型基底的第一表面包括金属区和非金属区；P型发射极层的第一P型发射极位于非金属区，P型发射极层的第二P型发射极位于金属区，第二P型发射极的第二掺杂浓度小于的第一掺杂浓度，阻挡层用于阻挡第一电极的金属离子向第二P型发射极中进行扩散，进而使得扩散至第二P型发射极和N型基底中的金属离子的含量减少，减少了金属颗粒的产生，避免了第二P型发射极和N型基底被破坏。
本发明授权太阳能电池、其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： N型基底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括金属区和非金属区； 位于所述第一表面上的P型发射极层、第一钝化层、阻挡层和多个第一电极，其中，所述P型发射极层包括：第一P型发射极和第二P型发射极，所述第一P型发射极位于所述非金属区，所述第一P型发射极具有第一掺杂浓度，所述第二P型发射极位于所述金属区，所述第二P型发射极具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度，所述第一钝化层位于所述P型发射极层背离所述N型基底的一侧，所述第一电极位于所述第二P型发射极背离所述N型基底的一侧，所述阻挡层位于所述第一电极和所述第二P型发射极之间，所述阻挡层用于阻挡所述第一电极的金属离子向所述第二P型发射极中进行扩散，所述阻挡层的掺杂浓度小于或等于所述第一掺杂浓度； 位于所述第二表面上的隧穿介质层、掺杂导电层、第二钝化层和多个第二电极。
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