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天津三安光电有限公司尹涛涛获国家专利权

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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119789641B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411754637.X,技术领域涉及:H10H20/841;该发明授权发光二极管及发光装置是由尹涛涛;白景奇;郭桓邵;彭钰仁;蔡坤煌设计研发完成,并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括半导体叠层、绝缘层和金属反射层,半导体叠层沿上表面到下表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,绝缘层设置在半导体叠层的下表面,绝缘层具有第一开孔,金属反射层设置在半导体叠层的下表面并包覆绝缘层,部分的金属反射层填充于第一开孔,绝缘层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影点分布在金属反射层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影第一连线段内。借此设置,可以解决在制备过程中绝缘层的边缘出现“锯齿状”缺陷的问题,避免出现损伤,提升发光二极管的品质。

本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管包括: 半导体叠层,具有相对的上表面和下表面,所述半导体叠层沿所述上表面到所述下表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层; 绝缘层,设置在所述半导体叠层的下表面,所述绝缘层包括至少2种的不同折射率材料,所述绝缘层具有第一开孔,所述第一开孔对应于所述第二半导体层的下方; 金属反射层,设置在所述半导体叠层的下表面,并包覆所述绝缘层,部分的所述金属反射层填充于所述第一开孔; 其中,所述绝缘层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影点分布在所述金属反射层的上表面的边缘端点在水平面的垂直投影第一连线段内;所述垂直投影点到所述垂直投影第一连线段的端点的最小间距范围为5~10μm; 所述发光二极管还包括金属保护层、第一电极和第二电极,所述金属保护层覆盖所述金属反射层,所述第二半导体层具有第二开孔,所述第二开孔露出所述金属保护层,所述第二电极通过所述第二开孔连接所述金属保护层,所述第一电极连接所述第一半导体层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天津三安光电有限公司,其通讯地址为:300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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