中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510290715.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法是由罗先刚;罗云飞;谷雨;刘凯鹏;牟帅;郭涛;赵泽宇设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法，涉及光刻技术领域，包括：在衬底上形成依次层叠的待刻蚀膜层、第一感光膜层、介质层和第二感光膜层，待刻蚀膜层靠近衬底；利用纳米孔图形掩模对第二感光膜层进行一次曝光，之后进行一次负显影，在第二感光膜层上形成纳米柱光刻结构；将纳米柱光刻结构的图形传递至介质层，形成柱图形结构；利用柱图形结构作为遮蔽图形对第一感光膜层进行二次曝光，之后进行二次负显影，在第一感光膜层上形成纳米孔图形结构；将纳米孔图形结构的图形传递至待刻蚀膜层，得到纳米孔结构。
本发明授权利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成依次层叠的待刻蚀膜层、第一感光膜层、介质层和第二感光膜层，所述待刻蚀膜层靠近所述衬底； 利用纳米孔图形掩模对所述第二感光膜层进行一次曝光，之后进行一次负显影，在所述第二感光膜层上形成纳米柱光刻结构； 将所述纳米柱光刻结构的图形传递至所述介质层，形成柱图形结构； 利用所述柱图形结构作为遮蔽图形对所述第一感光膜层进行二次曝光，之后进行二次负显影，在所述第一感光膜层上形成纳米孔图形结构； 将所述纳米孔图形结构的图形传递至所述待刻蚀膜层，得到纳米孔结构。
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