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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利体声波谐振器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119817032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380009725.4，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权体声波谐振器及其制备方法、电子设备是由王熙元设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本体声波谐振器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种体声波谐振器及其制备方法、电子设备，属于通信技术领域。体声波谐振器包括：衬底基板10、第一电极11、压电层12和第二电极13；体声波滤波器还包括：设置在第一电极11靠近衬底基板10一侧的第一偏置电阻层17，以及设置在第一偏压电阻层17和第一电极11之间的第一电隔离层18；第一偏置电阻层17的材料为高电阻率材料；和或，设置在第二电极12背离衬底基板10一侧的第二偏置电阻层110，以及设置在第二偏压电阻层110和第二电极13之间的第二电隔离层19；第二偏置电阻层19的材料为高电阻率材料。

本发明授权体声波谐振器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种体声波谐振器，其包括：衬底基板、第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极设置在所述衬底基板上，所述第二电极设置在所述第一电极背离所述衬底基板的一侧，所述压电层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意两者在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；其中，所述体声波谐振器还包括： 设置在所述第一电极靠近所述衬底基板一侧的第一偏置电阻层，以及设置在所述第一偏置电阻层和所述第一电极之间的第一电隔离层；所述第一偏置电阻层的材料为高电阻率材料，以使在所述第一偏置电阻层和所述第二电极之间施加直流电压时，所述体声波谐振器的谐振频率的变化与所述体声波谐振器的谐振频率的温度漂移相反；和或， 设置在所述第二电极背离所述衬底基板一侧的第二偏置电阻层，以及设置在所述第二偏置电阻层和所述第二电极之间的第二电隔离层；所述第二偏置电阻层的材料为高电阻率材料，以使在所述第一偏置电阻层和所述第二偏置电阻层之间施加直流电压时，所述体声波谐振器的谐振频率的变化与所述体声波谐振器的谐振频率的温度漂移相反。

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