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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利双反馈支路电流补偿型电荷泵电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119906264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411964117.1，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权双反馈支路电流补偿型电荷泵电路是由金晶;张驰;杨超;刘晓鸣设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本双反馈支路电流补偿型电荷泵电路在说明书摘要公布了：一种双反馈支路电流补偿型电荷泵电路，包括：依次相连的核心电路、双反馈支路以及偏置电路，其中：双反馈支路的输入节点与核心电路相连用于检测输出电压的电位变化，双反馈支路中第一反馈支路的第一输出节点与偏置电路栅极相连，第二反馈支路的第二输出节点与偏置电路相连，根据输出电压偏离中心电位的程度，通过偏执电路对上下充放电流进行分阶段的电流补偿。本发明通过双反馈支路解决输出电压偏离中心电位时上下充放电流的失配问题，能够将鉴频鉴相器输出的相位误差转换为充放电电流之差，对环路滤波器进行充放电从而产生压控振荡器的控制电压，从而实现在较宽的控制电压范围内，较低的充放电流失配以及实现输出电压上较小的纹波，优化锁相环输出时钟的抖动性能。

本发明授权双反馈支路电流补偿型电荷泵电路在权利要求书中公布了：1.一种双反馈支路电流补偿型电荷泵电路，其特征在于，包括：依次相连的核心电路、双反馈支路以及偏置电路，其中：双反馈支路的输入节点与核心电路相连用于检测输出电压的电位变化，双反馈支路中第一反馈支路的第一输出节点与偏置电路栅极相连，第二反馈支路的第二输出节点与偏置电路相连，根据输出电压偏离中心电位的程度，通过偏执电路对上下充放电流进行分阶段的电流补偿； 所述的偏置电路包括：六个NMOS管、五个PMOS管以及两个电阻，其中：偏置电流输入端i_bias与第一电阻一端、第零NMOS管的栅极以及第七NMOS管的栅极相连，第一电阻另一端与第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极以及第零NMOS管的漏极相连，第零NMOS管的源极与第一NMOS管的的漏极相连，第二NMOS管的漏极与第四PMOS管的栅极、第九PMOS管的栅极以及第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端与第五PMOS管的栅极、第六PMOS管的栅极以及第四PMOS管的漏极相连，第四PMOS管的源极与第五PMOS管的漏极相连，第六PMOS管的漏极与第七NMOS管的漏极、第八NMOS管的的栅极相连，第三NMOS管的漏极与第九PMOS管的漏极、第十PMOS管的栅极相连，第九PMOS管的源极与第十PMOS管的漏极相连，第七NMOS管的源极与第八NMOS管的漏极相连； 所述的核心电路包括：四个传输门、轨到轨输入运算放大器、第三轨到轨输入运算放大器、第二十NMOS管以及第十九PMOS管，其中：第十九NMOS管的漏极与第一传输门、第二传输门的一端相连，第一传输门的另一端与第三轨到轨输入运算放大器的输出端、反向输入端以及第三传输门的一端相连，第二传输门的另一端与第三轨到轨输入运算放大器的正向输入端、输出端VC以及第四传输门的一端相连，第三传输门和第四传输门的另一端与第二十NMOS管的漏极相连，第一传输门的正向控制端与第二传输门的反向控制端以及开关信号输入端相连，第三传输门的正向控制端与第四传输门的反向控制端以及开关信号输入端相连，开关信号输入端与第一传输门的反向控制端、第二传输门的正向控制端相连，开关信号输入端与第三传输门的反向控制端、第四传输门的正向控制端相连； 所述的第一反馈支路包括：第一轨到轨输入运算放大器、两个PMOS管、两个NMOS管，其中：第二输出节点与第十四PMOS管的栅极、第十六PMOS管的漏极相连，输入节点与第十六PMOS管的栅极、第一轨到轨输入运算放大器的正向输入端相连，第十四PMOS管的源极与第一轨到轨输入运算放大器的反向输入端以及输出端相连，第十四PMOS管的漏极与第十三NMOS管的栅极、漏极以及第十二NMOS管的栅极相连，第十二NMOS管的漏极与第一输出节点相连； 所述的第二反馈支路包括：第二轨到轨输入运算放大器、两个PMOS管、两个NMOS管，其中：第一输出节点与第十八PMOS管的栅极、第十五NMOS管的漏极相连，输入节点与第十五NMOS管的栅极、第二轨到轨输入运算放大器的正向输入端相连，第十八NMOS管的源极与第二轨到轨输入运算放大器的反向输入端以及输出端相连，第十八NMOS管的漏极与第十七PMOS管的栅极、漏极以及第十一PMOS管的栅极相连，第十一PMOS管的漏极与第二输出节点相连； 所述的轨到轨输入运算放大器包括：偏置结构和与之相连的折叠式共源放大器电路，其中：偏置结构中的第二十五PMOS管的栅极、漏极与折叠式共源放大器电路中的第二十六PMOS管的栅极、第三十八PMOS管的栅极相连，偏置结构中的第二十四NMOS管的栅极与折叠式共源放大器电路中的第三十一NMOS管的栅极相连； 所述的偏置结构包括三个PMOS管和两个NMOS管，其中：第二十一NMOS管的漏极、栅极与第二十四NMOS管的栅极、第二十二PMOS管的漏极相连，第二十二PMOS管的栅极与第二十三PMOS管的栅极、地相连，第二十三PMOS管的漏极与第二十二PMOS管的源极相连，第二十四NMOS管的漏极与第二十五PMOS管的漏极、栅极相连； 所述的折叠式共源放大器电路包括：六个NMOS管、八个PMOS管、调零电阻和米勒补偿电容，其中：第二十六PMOS管的漏极与第二十七PMOS管、第二十八PMOS管的源极相连，第三十一NMOS管的漏极与第二十九PMOS管、第三十PMOS管的源极相连，正向输入端VINP与第二十八PMOS管、第二十九NMOS管的栅极相连，反向输入端与第二十七PMOS管、第三十NMOS管的栅极相连，第二十七PMOS管的漏极与第三十二PMOS管的漏极、第三十四NMOS管的栅极、漏极相连，第二十八PMOS管的漏极与第三十七PMOS管的漏极、第三十五NMOS管的漏极、调零电阻的一端、第三十九NMOS管的栅极相连，第二十九PMOS管的漏极与第三十二PMOS管的栅极、第三十三PMOS管的漏极、栅极相连，第三十PMOS管的漏极与第三十七PMOS管的栅极、第三十六PMOS管的漏极、栅极相连，调零电阻的另一端与米勒补偿电容的一端相连，米勒补偿电容的另一端与第三十九NMOS管的漏极、第三十八PMOS管的漏极、输出端相连。

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