电子科技大学李玖娟获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510342154.7，技术领域涉及：C25B3/05；该发明授权水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的方法及应用是由李玖娟;谢开彬;张振海;王坤;周国云;王守绪;王翀;洪延设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的方法及该薄膜的应用，包括在水性溶液中采用电化学合成导电聚合物薄膜和该薄膜金属化。传统的噻吩基导电聚合物薄膜制备方法由于聚合物单体的溶解性差，通常需对单体进行改性或者溶于特殊的有机溶剂。有机溶剂的使用不仅对环境造成污染，还在一定程度上限制了聚合物薄膜制备的普适性，影响其大规模应用。本发明提供了一种在水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的方法，该方法采用的水性电解质溶液价格低廉，对环境几乎无污染，且通过该方法能快速制备高质量、高稳定性的噻吩基导电聚合物薄膜。进一步对该薄膜进行金属化修饰能应用于各类电子产品领域，尤其是柔性、可穿戴电子信息产品。
本发明授权水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种导电聚合物薄膜的金属化应用，其特征在于：将水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜在三电极体系中使用恒电位方法在铜镀液中实现薄膜的金属化，在薄膜表面形成一层金属层沉积； 水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的电解液使用的噻吩类衍生物单体纯度大于99.5%；噻吩及其衍生物单体分子式CS−R如下： ，其中R选自氢、氯、溴、甲基、乙基、羟基、硫基，且噻吩类衍生物单体浓度为5至50mM； 铜镀液由100至200gL五水硫酸铜、50至100gL硫酸和10至200ppm的双-3-磺丙基二硫化物的溶液组成。
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