上海大学;中国科学院宁波材料技术与工程研究所张桂艳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学;中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种基于硅纳米线基底的光电阴极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510284840.3，技术领域涉及：C25B11/081；该发明授权一种基于硅纳米线基底的光电阴极及其制备方法和应用是由张桂艳;张登松;汪德高设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅纳米线基底的光电阴极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于硅纳米线基底的光电阴极及其制备方法和应用，属于光电催化还原二氧化碳材料技术领域。本发明公开的制备方法将Au纳米颗粒吸附在硅纳米线基底表面，得到吸附有Au纳米颗粒的硅纳米线基底；通过原子层沉积法在硅纳米线基底表面沉积TiO2薄膜，随后将光敏剂和催化剂吸附于通过原子层沉积法的TiO2薄膜上，再通过原子层沉积法包覆TiO2薄膜，得到基于硅纳米线基底的光电阴极。该方法得到的光电阴极具有结构稳定、二氧化碳还原效果好等优点，对于优化染料敏化光电阴极的结构和提高其光电催化二氧化碳还原性能具有重要意义。
本发明授权一种基于硅纳米线基底的光电阴极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于硅纳米线基底的光电阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将Au纳米颗粒吸附在硅纳米线基底表面，得到吸附有Au纳米颗粒的硅纳米线基底； 将基底放入原子层沉积的反应腔体中沉积TiO2薄膜，随后浸泡在P1光敏剂的乙腈溶液中，进行光敏剂吸附；干燥后，放入原子层沉积的反应腔体中沉积TiO2薄膜，随后浸泡在ReC催化剂的甲醇溶液中，进行催化剂吸附，再通过原子层沉积法包覆TiO2薄膜，得到基于硅纳米线基底的光电阴极； 所述光敏剂为P1光敏剂，所述P1光敏剂为4-Bis-{4-[5-2,2-dicyano-vinyl-thiophene-2-yl]-phenyl}-amino-benzoicacid； 所述催化剂为ReC催化剂，所述ReC催化剂为[Rubda4-PO3H2-CH23-pyr2]催化剂。
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