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龙图腾网获悉东莞市万玖电子材料有限公司申请的专利一种高透光性、抗静电光学薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510156080.8，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种高透光性、抗静电光学薄膜及其制备方法是由李俊;李志华;付涛;李二壮设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高透光性、抗静电光学薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高透光性、抗静电光学薄膜，包括基体、SiNx层、内Ag层YF3ZnS交替层、外Ag层、GLC层；其中交替层数为5～10，其中Si3N4层厚度为10～40nm、内Ag层厚度为40～70nm、YF3为20～30nm、ZnS层厚度为25～35nm、外Ag层厚度为10～20nm、GLC层厚度为40～60nm；所述光学薄膜在500～1200nm范围内平均透过率大于87％，纳米硬度为29～34GPa。采用多功能磁控溅射镀膜设备，根据膜层的性质控制不同的工艺条件连续、依次的完成各层的制备。制备的光学薄膜具有优异的透光性和抗静电性能，并且兼具了良好的硬度和耐磨性，能够显著提高使用寿命。

本发明授权一种高透光性、抗静电光学薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高透光性、抗静电光学薄膜，其特征在于，包括基体、SiNx层、内Ag层YF3ZnS交替层、外Ag层、GLC层；其中交替层数为5～10，其中Si3N4层厚度为10～40nm、内Ag层厚度为40～70nm、YF3为20～30nm、ZnS层厚度为25～35nm、外Ag层厚度为10～20nm、GLC层厚度为40～60nm； 所述光学薄膜在500～1200nm范围内平均透过率大于87％，纳米硬度为29～34GPa； 所述高透光性、抗静电光学薄膜由包括以下步骤的制备方法制备得到： ①基体预处理：将基体依次经过无水乙醇、去离子水超声清洗、干燥备用； 将基体固定在多功能磁控溅射镀膜设备的安装架上，将Si3N4靶材、银靶材、YF3靶材、ZnS靶材以及碳靶材固定在靶材位； ②辉光清洗：对反应腔抽真空至10-3Pa并将反应腔加热至350～400℃，将氩气体通入反应腔，控制流量、打开基体偏压电源，开启离子源，对基体辉光清洗； ③开启Si3N4靶材射频电源，控制氩气流量、设置基体偏压，在基体表面沉积Si3N4层，沉积结束后关闭Si3N4靶材射频电源； ④开启银靶材直流电源，控制氩气流量、设置基体偏压，沉积内Ag层，沉积结束后关闭银靶材直流电源； ⑤开启YF3靶材射频电源、关闭基体偏压电源、降低反应腔温度至200～240℃、控制氩气流量，在基体表面沉积YF3层，沉积结束后关闭YF3靶材射频电源； ⑥开启ZnS靶材射频电源，控制氩气流量、在基体表面沉积ZnS层，沉积结束后关闭ZnS靶材射频电源； ⑦重复步骤6-75～10次； ⑧开启银靶材直流电源、升高反应腔温度至350～400℃、打开基体偏压电源，控制氩气流量、设置基体偏压，沉积外Ag层，沉积结束后关闭银靶材直流电源； ⑨开启碳靶材直流电源，控制氩气流量、设置基体偏压，沉积GLC层，沉积结束后关闭碳靶材直流电源； ⑩关闭电源，停止通入氩气，待降低至室温打开反应腔，取出基体。

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