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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利动态调控扫描速度与浸入深度的高精度确定性抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120055947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510051084.X，技术领域涉及：B24B13/00；该发明授权动态调控扫描速度与浸入深度的高精度确定性抛光方法是由高晴;王姗姗设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本动态调控扫描速度与浸入深度的高精度确定性抛光方法在说明书摘要公布了：动态调控扫描速度与浸入深度的高精度确定性抛光方法，属于光学抛光领域。本发明实现方法为：基于雷诺方程和赫兹接触模型建立磁流变抛光方法和球囊抛光方法的浸入深度与可控时变去除函数之间的关系模型，根据浸入深度和去除函数之间的关系模型，通过精确调控浸入深度实现去除函数的时变性，进一步提高材料去除的效率和可控性；提出单行扫描过程中采用恒速控制、换行扫描阶段引入可变速调节机制的加工方式，确保路径稳定性，降低机床动态负荷对精度的影响；构建单行恒速扫描、换行变速的驻留时间求解方法，保证驻留时间求解的准确性和可靠性；确立动态调控扫描速度与浸入深度的技术实现路径，实现面形误差的高效收敛与抛光过程的高精度控制。

本发明授权动态调控扫描速度与浸入深度的高精度确定性抛光方法在权利要求书中公布了：1.动态调控扫描速度与浸入深度的高精度确定性抛光方法，其特征在于：包括如下步骤， 步骤一、采用压控抛光方法对光学元件进行加工，根据压控抛光方法建立相应的浸入深度与去除函数之间的关系模型； 步骤二、根据机床动态性能的限制条件，设定最大扫描速度和最小扫描速度，基于扫描速度、扫描间距与驻留时间的关系公式确定驻留时间的上下限约束；通过超精密检测装备精确测量获得工件表面材料的待去除量，基于浸入深度分布确定各采样点处的去除函数，根据Preston方程，求解卷积方程即可获得工具头在各采样点的驻留时间；基于各采样点处的去除函数构建去除效率矩阵，将非线性卷积方程转化为线性方程组处理；为满足数控抛光加工的动态性能，在使用最小二乘法求解驻留时间的过程中，增加机床最大扫描速度与最小扫描速度的约束条件，结合等式约束与不等式约束，构建基于扫描路径的动态调控扫描速度的方法：在单行扫描过程中采用恒速控制，以确保路径稳定性；在换行扫描阶段引入可变速调节机制，以适应路径转折和复杂区域的去除需求；通过所述动态调控扫描速度的方法，精确求解驻留时间，提升去除效率分布的均匀性； 步骤三、根据机床性能，确定浸入深度的最大值、最小值及其变化分辨率，并将浸入深度在工件表面上的分布作为待优化的决策变量；鉴于浸入深度与材料去除效率具有正比关系，即浸入深度越大，材料去除的作用区域越大、作用能力越强，根据工件的初始面形误差以及机床在z向位移的动态范围和极限分辨率，映射浸入深度的初值分布；采用步骤一里面的关系模型，根据各采样点处的初始浸入深度计算得到各采样点的去除函数；通过步骤二，基于各采样点的去除函数，求解初始驻留时间；根据Preston方程，求得的初始驻留时间卷积上各采样点的去除函数预测材料的去除量，并与初始面形误差对比做差得到面形误差分布，并使用均方根值RMS进行评价；基于面形误差和加工目标，构建多目标函数；采用优化算法求解目标函数的最优值，得到最优浸入深度分布和对应的驻留时间，提升动态调控浸入深度的科学性，进而提高光学元件制造的精度和效率。

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