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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于变压器抽头电感优化共模阻抗的高效率三倍频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120090567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510187010.9，技术领域涉及：H03B19/14；该发明授权一种基于变压器抽头电感优化共模阻抗的高效率三倍频器是由王政;张铁怀;丁煜寒;谢倩设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于变压器抽头电感优化共模阻抗的高效率三倍频器在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于变压器抽头电感优化共模阻抗的高效率三倍频器，属于射频集成电路领域，包括输入匹配网络、三倍频单元、级间匹配网络、缓冲放大单元和输出匹配网络。其中级间匹配网络在初级线圈中心抽头处串联8字形电感，能实现在不明显影响差模阻抗的前提下调整优化共模阻抗，提高三倍频器效率，并且抑制三倍频单元对共模阻抗的敏感度。此外，由于中心抽头所串联的电感采用8字形对称绕圈的形式，加入该抽头电感不需要额外的面积。

本发明授权一种基于变压器抽头电感优化共模阻抗的高效率三倍频器在权利要求书中公布了：1.一种基于变压器抽头电感优化共模阻抗的高效率三倍频器，其特征在于， 包括：输入匹配网络、三倍频单元、级间匹配网络、缓冲放大单元和输出匹配网络； 其中，所述输入匹配网络由第一变压器XFMR1、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、第二电感L2以及第一电阻R1组成；第一变压器XFMR1初级线圈的一端接三倍频器的输入端Input，另一端接地，第一电容C1并联在第一变压器XFMR1的初级线圈两端；第一电阻R1的一端连接第一变压器XFMR1次级线圈的中心抽头，另一端连接第一偏置电压Vbias1，第二电容C2并联在第一变压器XFMR1的次级线圈的两端；第一电感L1和第二电感L2一端与第一变压器XFMR1的次级线圈两端分别连接，第一电感L1的另一端与第一晶体管M1的栅极连接，第二电感L2的另一端与第二晶体管M2的栅极连接； 所述三倍频单元由第一晶体管M1、第二晶体管M2、第一中和电容Cn1和第二中和电容Cn2组成；第一晶体管M1和第二晶体管M2的源极接地，第一晶体管M1和第二晶体管M2的漏极与第二变压器XFMR2的初级线圈两端分别连接；第一中和电容Cn1一端连接第一晶体管M1栅极，另一端连接第二晶体管M2漏极；第二中和电容Cn2一端连接第二晶体管M2栅极，另一端连接第一晶体管M1漏极； 所述级间匹配网络由第二变压器XFMR2、第二电阻R2以及抽头电感Lt组成；第二变压器XFMR2的次级线圈两端与第三晶体管M3和第四晶体管M4分别连接；抽头电感Lt的一端连接第二变压器XFMR2初级线圈的中心抽头，另一端连接电源Vsupply；第二电阻R2的一端连接第二变压器XFMR2次级线圈的中心抽头，另一端连接第二偏置电压Vbias2； 所述缓冲放大单元由第三晶体管M3、第四晶体管M4、第三中和电容Cn3和第四中和电容Cn4组成；第三晶体管M3和第四晶体管M4的源极接地，第三晶体管M3和第四晶体管M4的漏极与第三变压器XFMR3的初级线圈两端分别连接；第三中和电容Cn3一端连接第三晶体管M3栅极，另一端连接第四晶体管M4漏极；第四中和电容Cn4一端连接第四晶体管M4栅极，另一端连接第三晶体管M3漏极； 所述输出匹配网络由第三变压器XFMR3、第三电容C3以及第四电容C4组成；第三电容C3并联在第三变压器XFMR3的初级线圈两端，第三变压器XFMR3的初级线圈中心抽头与电源Vsupply连接，第四电容C4并联在第三变压器XFMR3的次级线圈两端，第三变压器XFMR3次级线圈的一端接三倍频器的输出端Output，另一端接地。

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