北京脑科学与类脑研究所;北京芯智达神经技术有限公司罗敏敏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京脑科学与类脑研究所;北京芯智达神经技术有限公司申请的专利电极设计方法、制造方法及电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120470808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510942852.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权电极设计方法、制造方法及电极是由罗敏敏;张垒;孙雪婷设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本电极设计方法、制造方法及电极在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电极设计方法、制造方法及电极。其中，电极设计方法包括：获取医学影像数据和神经信号解码需求；根据医学影像数据，构建目标大脑皮层模型；根据神经信号解码需求和目标大脑皮层模型，确定电极参数；根据电极参数，确定电极掩膜文件。本发明解决了现有技术中的电极，无法满足不同医疗场景下的个性化定制需求的技术问题。
本发明授权电极设计方法、制造方法及电极在权利要求书中公布了：1.一种电极设计方法，其特征在于，包括： 获取医学影像数据和神经信号解码需求； 根据所述医学影像数据，构建目标大脑皮层模型； 根据所述神经信号解码需求和所述目标大脑皮层模型，确定电极参数，包括： 基于所述目标大脑皮层模型，确定所述目标大脑皮层中的功能区的功能特性； 基于所述目标大脑皮层模型，确定所述目标大脑皮层的结构特征； 根据所述功能特性，对初始参数中的电极位点尺寸和位点密度进行优化，以及根据所述结构特征，对所述初始参数中的电极形状和电极尺寸进行优化，得到所述电极参数，其中，所述初始参数基于所述神经信号解码需求确定得到，所述功能特性包括所述目标大脑皮层中的功能区的信号频率，所述目标大脑皮层中的功能区的信号频率越高所述电极位点尺寸越大，所述目标大脑皮层中的功能区的信号频率越低所述电极位点尺寸越小，所述结构特征用于表示所述目标大脑皮层的曲率和几何形状，所述目标大脑皮层的曲率越大所述电极尺寸越小，所述目标大脑皮层的曲率越小所述电极尺寸越大； 根据所述电极参数，确定电极掩膜文件。
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